铝镓铟磷相关论文
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,......
提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaIInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率......
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜（ODR）LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡（ITO）做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压......
在室温下,运用反射椭偏光谱技术,对生长在砷化镓上的铝镓铟磷以及铝镓铟磷(掺硅)两样品进行了研究.测得它们在可见光区的光学常数,......
提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去......
分析了隧道再生双有源区A lG aInP发光二极管的工作原理,测试了不同注入电流下管芯的轴向光强,得到了轴向光强随注入电流的变化关......
利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXR......
本论文在理论计算的基础上,设计了具有铝砷／镓砷(AlAs/GaAs)布拉格反射镜(DBR)结构的铝镓铟磷(AlGalnP)应变多量子阱(MQW)发光二极......
建立了发光二极管提取效率的理论计算模型，分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素，包括从出光表面出射的......
