锗烯相关论文
单层硅(Si)和锗(Ge)结构与石墨烯有相类似的电子性质,这些单层结构称为硅烯和锗烯。硅烯和锗烯都与现代硅基半导体工业相兼容。相较于......
锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一。以其优异的物理化学性质得到人们广泛关注。然而,锗烯具有微小带隙的特......
基于自旋极化的第一性原理计算,我们研究了二维材料(硅烯、锗烯和Al-Ge合金锗烯)在支撑衬底上的结构模型以及界面效应对二维材料生长......
近年来,碳纳米材料受到了广泛关注。碳元素是自然界中的重要元素之一具有sp、sp2、sp3等多种轨道杂化形式。碳元素除了构成常见的......
The aromatic character of divalent three, five and seven-membered rings C2H2M,C4H4 and C6H6M(M=C,Si, Ge, Sn and Pb) is i......
用从头算方法研究了单重态锗烯与甲醛环加成反应的机理,找到了反应的中间配合物和过渡态,并讨论了反应机理.在从头算的基础上,用统计热......
用RHF/6-31G~(?)解析梯度方法研究了单重态锗烯与乙烯环加成反应的机理,用二级微扰方法对各构型的能量进行了相关能校正,并用统计......
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了单重态GeH2与HNCO的反应机理.在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参......
锗基集成电子学的发展潜力源于其极高的载流子迁移率以及与现有的硅基和锗基半导体工业的兼容性,而锗烯微小带隙能带特点极大程度......
采用密度泛函理论B3LYP方法研究了GeH2自由基与HNCS的反应机理,并在B3LYP/6-311++G^**水平上对反应物,中间体,过渡态进行了全几何参数优化,......
用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,C1,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]的影响.研究......
基于非平衡格林函数方法,理论研究了Z轴方向局域交换场和电场对锗烯纳米带中电子自旋极化输运性质的影响.结果表明对锗烯的边缘区......
锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一,以其优异的物理化学性质迅速得到人们的广泛关注.然而,锗烯具有的零带隙......
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
过去20年,我国能源消费总量持续增长,但能源利用率仅为30%左右。热电转换技术可以将废热直接转换成电能,不但可以提高能源利用率,......
基于密度泛函理论的第一性原理计算,我们系统的研究了锗烯在Pt(111)、Au(111)和Al(111)表面的几何和电子结构.在这三种金属衬底上......
二维纳米材料由于其独特的物理和化学性质,现已成为当今材料科学研究的焦点之一。本文从新型二维纳米材料的分类、合成、性质和应......
根据广义等电子体原理,锗烯与卡宾和硅烯是等电子体,而且都是极不稳定的活性中间体。直觉上,锗烯的化学性质应该与卡宾和硅烯类似,......
当前窄禁带半导体材料中,晶体锗由于具备良好的微电子兼容性而被寄予厚望。锗材料比硅材料的波尔激子半径更大,具有更加显著的表面......
利用量子化学密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311++G(d,p)的水平上对锗烯X2Ge(X=H、CH3、F、Cl、Br、OH、OCH3)与SC2H4的硫转移......