锗量子点相关论文
硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
自组装锗量子点因其发光在1550nm左右的通信波段,并且其生长方式与CMOS工艺兼容,引起了人们广泛的关注与研究.利用各种微纳谐振腔......
锗与硅材料一样,也是间接带隙半导体,体锗材料仍然不能作为好的发光材料使用.而在量子结构中的量子限制效应可以有效展宽电子和空......
本研究制备了性质稳定的胶体锗荧光纳米量子点,其尺寸约为3.8nm,荧光发射波长为650～800 nm,并探索了该量子点在细胞成像,特别是单分......
随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更......
在化学氧化得到的二氧化硅薄层覆盖的硅衬底上,室温淀积锗膜并进行后期退火处理.实验表明,不同于传统退火过程形成大岛,通过一定工......
随着21世纪信息通信科学的大发展，人类对于数据计算交换速度的要求越来越高，对于数据交换量、传输带宽的要求越来越大。光互连技术因......
利用FJL560Ⅲ型超高真空磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备Ge/Si量子点样品，以自组装Stranski-Krastanov(S-K)生长模式......
半导体量子点结构中载流子(如电子、空穴和激子)强量子限制作用使得其电学和光学性质发生了很大的变化，有望在单电子器件、光电子器......
关于Si外延生长过程中杂质的偏析行为的研究无论在工业生产及应用还是在基础研究领域都是一个关键性的基础课题。随着器件尺寸下降......
美国Natcore公司与赖斯大学（Rice University）共同研制出可实现光伏发电的硅和锗量子点两种多层薄膜电池。该产品采用3节电池串联式......
东京都市大学宣布其制作出了采用锗（Ge）量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在CMOS工艺中使用具有兼......
采用量子尺寸的多孔硅作为衬底，利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点，由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移，计......
据有关媒体报道，近日，日本东京都市大学综合研究所研究人员成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。......
The electric characteristics of Ge quantum dot grown by molecular beam epitaxy in Si matrix were investigated by admitta......
光互连是一种通过光来高速传递信息的技术,它具有高传输速率、大传输带宽等优点,因此以光互连代替电互连将是今后的一大发展趋势。......
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硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸......
社会的快速发展的同时,伴随着化石燃料等能源物质被不断使用,导致了空气中污染性气体的排放量急剧增加,从而严重威胁了人们的健康......
采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge......
