阻变性能相关论文
随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展.阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点......
利用射频磁控溅射法制备TiO2薄膜，研究了薄膜沉积后不同热处理度以及不同溅射气氛下制备的TiO2薄膜再进行热处理对薄膜物相的影......
近年来,铅基卤素钙钛矿因其制备工艺简单、载流子扩散距离长以及离子迁移速率快等优点而被应用于阻变存储器.然而,铅基卤素钙钛矿......
5G时代的发展推动着人工智能、云计算等新兴科技的进步。与此同时,人们对大数据时代下的信息存储要求越来越高。随着便携式电子设......
阻变存储器(Resistiance random access memory,RRAM)由于具有结构简单、读写速度快、尺寸小、数据保持时间长等优点,引起了人们的......
学位
随着半导体集成电路产业的飞速发展,传统的SiO2栅介质材料已经无法满足金属半导体场效应晶体管不断微缩的需求。氧化铪基高介电常......
随着大数据、云存储、工业4.0、物联网技术及移动互联网时代的不断发展,半导体存储器是信息技术的重要载体之一。目前广泛采用的闪......
当前,柔性可穿戴电子器件是未来电子器件发展的重要趋势之一。人们迫切需要开发一种基于柔性衬底的存储器件,能实现数据存储、处理......
大数据时代,信息的处理和存储显得尤为重要。目前,主流的非挥发性存储技术以闪存为主,但其正面临写入电压高、擦写速度慢、能耗高......
自摩尔定律提出以来,半导体行业在过去几十年里一直遵循摩尔定律稳步发展。到器件特征尺寸发展至45 nm技术节点时,传统的SiO2介质......
随着半导体技术的快速发展，到2016年时，传统的存储器件尺寸将发展到22 nm。这些存储技术依赖于电荷存储，随着器件尺寸的不断缩小和密......
TiO2作为一种重要的氧化物半导体材料在光催化和阻变存储器方面都有着广泛的应用前景，但TiO2较大的禁带宽度(3.2 eV)限制了其在这两......
阻变存储器(RRAM)是一种新型的非挥发性随机存储器,它在传统的存储器基础上进行改进,不仅提高了器件的存储密度,大大的降低了其制......
SrBi2Ta209(SBT)材料是一种类钙钛矿结构的铁电材料,具有优异的抗疲劳特性,且不含铅等重金属,对环境无污染;同时,SBT材料作为一种......
非挥发性存储器（NVM）应该具有以下特性,如高密度、低成本、快速的读、写访问、低功耗、高耐疲劳性和长的保持性。硅基闪存（Flash）器件......
在过去的几十年中,因为高速/高存储密度的非易失性存储器(NVMs)的出现,信息技术的持续发展从而使得我们的计算机能具有强大的处理......
最终的非挥发性数据存储器应该具备的性能:高密度、低成本、快速读取速度、低功耗、耐久性佳以及数据保持时间长。目前,基于硅的Fl......
电致电阻效应，也称阻变效应，是指电流或电压作用在一些金属/绝缘体/金属三明治结构时，该结构的电阻值会发生几个量级的改变，并且得到的......
随着现代科技生活的飞速发展，现有的信息存储器件已经不能满足人们的高需求，电阻式随机存储器（RRAM）作为一种新型的非易失性存储器，以其......
现代信息技术的快速发展在改变人们生活方式的同时也面临着严峻的挑战,发展下一代的非易失存储技术迫在眉睫。在众多非易失性存储......
随着信息技术和电子产品微型化的迅速发展和需要,高速度和高密度柔性透明非易失性存储器的发展成为一种必然趋势。阻变存储器(RRAM......
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻......
采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻......
采用溶胶-凝胶工艺在p＋-Si基片上制备了La0.67Ca0.33Mn O3薄膜,构建了Ag/La0.67Ca0.33Mn O3/p＋-Si三明治结构的阻变器件,研究了器件......
当前主流的非挥发性存储技术以基于电荷存储机制的浮栅型闪存为主,然而Flash存储器面临着写入电压较高、擦写速度较慢、功耗较大和......
随着半导体技术的迅速发展,目前主流的Flash存储器面临严重的技术瓶颈。在下一代非易失性存储器的研究中,阻变存储器因其结构简单......
以芳香长链二胺2,2-双（4-氨基苯氧基苯基）丙烷和3,3＇,4,4＇-联苯四甲酸二酐为原料,通过溶液缩聚法合成聚酰胺酸溶液,采用旋涂法将聚酰胺......
