阻变机制相关论文
二维材料由于具有超薄、柔性的层状结构，有望突破传统阻变材料难以降低忆阻器尺寸的限制，成为存储器、柔性电子、神经形态计算等领域......
随着微电子技术的飞速发展,传统的互补式金属氧化物（CMOS）存储技术已经满足不了人们日益增长的科技需求。忆阻器作为电路四大基础元......
忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻......
忆阻器作为一种新型的电路元件，相比于传统存储元件具有无源性、低耗能、高密度以及非易失等特性。忆阻器具有依赖于历史状态的动态......
随着移动终端、云计算、大数据等信息技术的突飞猛进,市场对性能优越的电子产品的需求日益迫切。存储器是限制计算机技术发展最大......
基于纳米材料与有机聚合物复合的电双稳存储器件由于快速响应、非破坏性读取、高存储密度和易于制备等特点备受关注。已有研究结果......
阻变存储技术凭借众多氧化物、固态电解质材料、有机材料中存在的电阻记忆及转变特性,有望开拓新一代非易失性信息存储领域。它能......
随着信息技术和人工智能的不断发展,大数据的爆发促使人们对于大数据的存储需求不断增加,而大量的数据存储需要建立在高性能大容量......
阻变存储器(RRAM)因具有简单结构、低功耗和高速等优点而受到广泛关注。特别是透明阻变存储器(TRRAM)兼备高透明度的优点而引起人......
在过去的几十年中,随着对便携式移动电子设备日益增长的需求,非易失性存储器已被广泛研究。以Flash存储器为代表的传统非易失性存......
伴随着信息技术的发展,数据量日益暴增,对数据的存储能力的要求日益增强,主要包括更大的存储密度,更快的擦写读速度,更低的功耗,更......
基于二元金属氧化物的阻变式随机存储器(RRAM)由于结构简单、价格低廉等诸多优点,成为了人们研究的热点。ZnO是一种宽禁带半导体,......
基于无机纳米颗粒/有机物的复合阻变存储器件以高读写速度，高存储密度和简单的制备工艺等特点被认为是下一代非易失性存储器中最有......
随着电子技术的发展,兼具透明、柔性等特性的功能电子器件得到了广泛关注。作为新型电子存储器件,忆阻器在新一代信息技术领域(包......
BiFeO_3(BFO)具有室温铁电性和反铁磁性,在数据存储、磁电器件和微电子器件等领域具有广泛的应用前景。我们采用偏轴射频磁控溅射......
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该......
采用磁控溅射的方法在Pt电极上沉积了锆铪氧薄膜，并制备了Pt/Zr0.5Hf0.5O2/Pt结构的电容器，用XRD表征了锆铪氧薄膜的结晶状态，通过在......
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速......
随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器......
本文将研究RRAM的注意力集中在Hf O2金属氧化物材料上,因为其组份简单且制备工艺与目前的CMOS工艺相兼容。在基于Hf O2材料的阻变......
ZnO纳米棒具有宽禁带、易于制备合成和优秀的光学性能等优点,在电子和光电子器件领域有着很好的应用价值。由于载流子在两个维度上......
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器......
