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垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，缩写为 VCSEL)在半导体激光器历史中发展虽然较晚，但是凭借其多方面的......
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导体激光器三维稳态温度分布,分析了焊料......
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比......
针对隧道再生半导体激光器，建立了内部的热源分布模型，利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器稳态三维温度分布......
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型.模拟计算得到了2个有源区隧道再生半导体激光器三维稳态温度分布,分析了焊料......
针对隧道再生半导体激光器，建立了内部热源分布模型，利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布......
分析了传统的发光二极管所存在的问题,提出了一种新的发光机制——高效隧道再生多有源区发光机制,详细介绍了新型发光管的工作原理......
利用有限元软件ANSYS结合傅里叶定律,对制约适用于光纤耦合输出的新型高功率多有源区隧道再生半导体激光器长寿命工作的稳态热特性......
建立了一种适用于多量子阱和多有源区的多层速率方程模型.通过小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数......
对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振......
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了......
通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值......
