Quintessence Photonics公司的工程技术人员研制了一种由面发射激光器组成的二维单片式高功率激光二极管阵列。垂直腔面发射激光器......

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1．3btm边发射AlGaInAs多量子阱激光器．有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限......

利用高功率微波等离子体化学气相沉积方法及合适的预处理方法成功地合成了无生长丘的高品质金刚石膜。阴极荧光（CL）结果表明在本工作......

在室温下测量了GaInP／AIGaInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱．通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长．但是......

用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件.在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466 n......

从速率方程出发,仿真得到VCSELs在不同腔体结构、自发辐射因子和线宽限制因子情况下,相对强度噪声随外光反馈水平的变化规律.结果......

文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究.主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;......

对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振......