VCSELs相关论文
1引言垂直腔面发射激光器（VCSELs）及阵列是一种垂直表面出光的半导体激光器，是光子学器件在集成化上的一个突破。输出光是圆光斑无像......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬｓ）的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等......
This paper gives a detailed theoretical investigation on phase conjugation induced by nearly degenerate fourwave mixing ......
In order to choose the proper radius of oxide aperture for few-mode vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs), the......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Pulsed anodic oxidation technique, a new way of forming current blocking layers, was successfully used in ridge-waveguid......
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器, 并分析了器件特性.通过增加有源区面积, 改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复......
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程，并给出了其......
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程，并给出了其......
研究了大功率短脉冲垂直腔表面发射激光器（VCSELs）出光孔径分别为400μm,600μm的980nm倒封装底发射VCSELs的脉冲特性,通过测试脉冲......
美国Photonics Spectra杂志2007年7月号报道了Princeton Optronics Inc．的VCSELs（垂直腔面发射激光器）在输出功率方面的重大突破，展现......
An analysis solution of rate equation is derived for vertical cavity surface-emitting lasers.Based on the enhanced spont......
基于激光速率方程并加入了热补偿电流，建立了一种用于分析大功率垂直腔面发射激光器（VCSELs）输出特性（P-I）的模型。先测得已知温度下的P......
由于新型的聚合物塑料光纤（Plastic Optic Fiber,简称POF）的出现,以及其在通信网络领域的应用前景,使得与该种光纤相对应的光源成为......
基于自发辐射在微腔激光器中的独特性,利用参数开关调制控制混沌的理论和技术,对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模......
美国Photon公司是光束分析仪器的专业生产厂商，它的系列产品可进行激光器、激光二极管、发光二级管、光纤、光波导、VCSELS的光束质......
依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应，分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应，比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。比较了三维理想封闭腔与普通开腔中......
基于非对称互注入垂直腔面发射激光器（V C S E L s） 中两对应的线偏振模式间的混沌同步,提出了一种可实现双向双信道混沌保密通信的......
基于非对称互注入垂直腔面发射激光器（V C S E L s） 中两对应的线偏振模式间的混沌同步,提出了一种可实现双向双信道混沌保密通信的......
本文采用求光场方程、载流子扩散方程，热导方程以及泊松方程自洽解的方法，研究了垂直腔面发射半导体激光器的电，热和光波导特性。计算......
本文采用求解光场方程，载流子扩散模式耦合方程自洽解的方法研究了具的梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制，计算了......
根据增益波导垂直腔面发射激光器(VCSELs)直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对泊松方程、注入电流密度、载流子浓度和光场......
本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制......
评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展，就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述，探讨了进一步......
半导体激光器是电器设备和电气测试系统中的重要组成元件,在半导体激光器及其它光电器件中,利用突变材料可以实现电流、热场和光波......
垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting lasers, VCSELs)以其低成本，低功耗，易于封装，光束发散角小，低电流状态下优异......
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值......
通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型,研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响.仿真结果......
利用构建在SIMULINK平台下垂直腔面发射激光器(VCSELs)动态仿真模型,研究了自发辐射因子对多次外光反馈下VCSEs非线性行为的影响.......
1978年第一台VCSELs诞生,而后VCSELs实现了飞速的发展。虽然其问世晚于边发射半导体激光器,但VCSELs凭借其低阈值电流、易于实现单......
通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值......
