静电损伤相关论文
静电放电对电子元器件的威胁日益增长.本文分析了静电敏感器件的ESD损伤机理,介绍了静电敏感器件的ESD测试模型,并据此提出了静电......
本文对集成电路静电损伤(人体模型)和过电应力损伤进行了研究,从I-V特性测试、带钝化层芯片表面扫描电镜观察及芯片表面剥层后的扫......
本文从应用新技术、新器件可能带来对高科技机电产品的静电损伤问题,介绍了静电放电原理、带来的危害及生成的因素.通过剖析在研制......
在雷达和电子设备元器件的故障统计中,因静电击穿引起的故障占相当大的比重,同时也是一个极难检测和进行透彻分析的因素。本文就静......
本文在考虑我国电子工业布局飞速进步和我国半导体产业制造技术不断提升的背景下,越来越多的企业和技术人员在电子产品生产和使用......
针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷......
当绿色的嫩芽使尽浑身力气从土里钻出来时,春天到了.提到春天,首先想到的便是,春风又绿江南岸”.但是,和万物复苏一起焕发勃勃生机......
电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电.讨论了某电子设备中出现......
近年,随着电子技术的蓬勃发展,科技的不断进步,我国电子通信等一些新型的电子产业发展迅速.微电子器件、高分子材料应用于各个领域......
本文研究了低频和高频两种类型的小功率晶体管的静电放电损伤阈值。发现对于高频晶体管，与人们以前的认识不同，静电放电损伤敏感端对......
对n沟道MOS器件的栅氧化层进行了x射线辐照试验和低电压静电放电(ESD)试验，分别在试验前后测量了样品的转移(IDs-Vg)特性和C-V特性......
随着电子技术的飞速发展,特别是半导体及集成电路工艺的进步,电子产品日益向轻、薄、小、高密度、多功能等方面发展,移动用户终端......
该论文旨在探索更有效的微电子器件的可靠性评估方法.针对静电在MOS器件中引入的潜在损伤,在使用1/f噪声功率谱监测的同时并提出了......
数据表说明书之外的正确静电放电(ESD)保护措施rn为了成本,集成度和性能等指标,采用高速串行数据接口,并且减小半导体制造布局是非......
【摘 要】一般而言，薄栅氧MOS器件、场效应器件和浅结、细条、细间距的双极器件的抗静电放电能力更弱。在微电子器件及电子产品的生......
本文在研究集成电路封装线过程中静电产生的各种原因及静电损伤的机理后，为集成电路的系统性静电防护制定了相关措施。对于集成电路......
本文介绍了对AS169型微波开关电路进行的失效分析.采用了直流测试、射频测试、样品解剖、芯片观察、电路分析以及实验验证等一系列......
为了成本，集成度和性能等指标，采用高速串行数据接口，并且减小半导体制造布局是非常有必要的。但这种较小的器件更容易受到较低电压和......
利用偏光显微镜、扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对聚酰亚胺（PI）表面正常区域和静电损伤区域进行系统观测。偏光显微镜的观测基于超扭......
文章具体地总结静电防护知识、静电防护工作、防静电的步骤。生产实际表明进行静电防护可避免增加成本,提高产品合格率,可避免客户......
随着现代科学技术的发展,电子、通讯等高新技术产业也在迅速崛起,电子仪器和电子设备正在朝着小型化、智能化、多功能化方面发展,......
随着科学技术的飞速发展，电子、通信、航天航空等高新产业的迅速崛起，电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化、多功能及智能化，高性......
本文提出了轻微静电损伤和严重静电损伤的概念,简述了静电放电模型,指出了提高器件抗静电放电能力的对策。......
本文通过对集成运算放大器结构的分析，讨论其电浪涌及静电损伤，为使用者提供参考。...
为了对电应力失效现象进行深层次的认识和理解，本文对电应力失效的现象特征、失效机理、检测方法和分析结论进行了总结．总结出了电应......
期刊
6 ESD防护的必要性静电在电子工业中被称为'看不见的敌人,无处不在的杀手'.静电损伤是一种偶然事件,与时间无关,同时由于E......
在液晶显示器制造中对基板上的聚酰亚胺(PI)摩擦形成定向层.在电极间隙处容易发生定向层的聚酰亚胺静电损伤.通过偏光显微镜和原子......
集成电路(Integrated Circuit,通常简称IC),是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件。本文通过分析集成电路失效模......
由于接插件接触不良、静电损伤、电缆外套老化破损或瞬态效应造成的收发器损坏等原因均可以造成RS—485收发器分支线短路故障。短......
本文论述了半导体器件静电损伤及防护措施，阐述了静电放电（ＥＳＤ）失效的敏感电压、静电放电模型、静电对ＣＭＯＳ电路的损伤、提高器件抗静电损伤的......
在不同的静电放电模型下，通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数，由于外部环境、材料、结构和......
控制器使用红外接收头在实际应用中出现失效,故障现象表现为接收距离短,不接收等。经分析主要为器件制造、过电、设计等多方面原因......
半导体器件制造过程中的静电防护是十分重要的。文章从静电放电的模式出发,结合封装制造过程实际情况,列举了静电防护的各种措施。......
延迟失效是CMOS器件静电损伤中90%的现象,大大地影响了机器使用过程中的准确程度,因此对CMOS器件采取防静电措施的实施是十分重要......
静电放电（ＥＳＤ）损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生，静电放电ＥＳＤ损伤模型，抗静电能力分类，ＥＳＤ的效模式，使用中的防静电损伤措施等二方......
论述了白光发光二极管(LED)在封装和应用中存在的主要模式和失效机理,并介绍了若干失效分析实例,提出了可靠性保证措施,对于进一步......
微波等离子清洗技术具有优越的环境特性和去污能力，但传统产生等离子体的不足限制了等离子清洗技术在工业中的应用，近期等离子领域的......
微波等离子清洗作为一种绿色无污染的高精密干法清洗方式,可以有效去除表面污染物,避免静电损伤。简述了微波等离子清洗的原理及特......
文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防......
