负微分电阻相关论文
随着社会的发展,对器件的要求越来越高,传统的半导体器件已经满足不了社会的发展需要。而随着集成度的不断提高,器件的小型化发展......
振荡现象在自然界中普遍存在,现代神经科学研究表明人类大脑计算就是通过振荡进行的。近年来,以忆阻器为基础的人工神经网络在类脑......
本文首先扼要而系统地阐述了基于非平衡态格林函数方法与密度泛函理论的第一性原理计算方法和分子器件的研究进展,以此为基础,对三......
相较于传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,负电容场效应晶体管（Negative Capacitance Field Effect Transistor,NCFET）具备......
随着现代社会对信息处理的要求越来越高，传统的以硅为基础的电子器件在性能以及集成度上已经无法满足人们的需求。为了实现器件的微......
新能源材料的开发与发展被广泛认为是解决人类能源危机的重要手段。有机无机杂化钙钛矿(OHP)以高效率和低成本的优势成为新一代备......
随着太赫兹频率(THz)辐射源及探测器技术的迅速发展和完善,THz技术凭借众多优势已经逐渐应用在太赫兹成像、无线通信、医疗检测等......
随着5G时代的到来,毫米波/亚毫米波在无线通信领域得到了广泛的应用,作为频率更高的THz波肩负着未来通信发展的重任。THz辐射源是......
随着科技的发展,人们开始在分子水平上设计与制备电子器件,因此分子电子学的研究引起了人们的广泛关注。分子器件除了固有的输运特......
硅烯作为一种类石墨烯的二维Dirac材料,由于其具有较强的自旋轨道耦合能,可导致易于调控的带隙,可在外场调控下实现自旋、能谷的极......
随着大数据时代的到来,阻变存储器由于具有操作速率快、存储密度高、能耗低等特点而备受关注。负微分电阻效应是一种电流随电压增......
二十世纪初,电子二极管的出现开启了电子科学发展的黄金时代,集成电路的出现开拓了电子器件微型化的道路。随着电子技术的快速发展......
该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
该文研究了共振隧穿二极管(RTD)电流电压曲线数值计算方法.提出了一种基于黄金分割和二分法搜寻方法的二维积分算法,用该算法能较......
当今的社会发展很快,尤其是信息技术,而存储器是信息技术发展的必需品。存储器主要分为易失性和非易失性两种类型。易失性存储器就......
本文采用第一性原理计算方法，系统地研究了分子尺度体系输运性质中存在的几个问题以及通过设计特殊分子器件实现有意义的输运特性。......
本论文将密度泛函和非平衡格林函数方法相结合,利用Landau-Buttiker公式研究了锯齿型石墨纳米带的电子结构和电子自旋输运特性。重......
石墨烯纳米材料是目前凝聚态物理研究最为活跃的领域之一。这种只有一个原子层厚度的理想二维体系显示了不同寻常的特性,具有广泛......
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数理论的计算模拟方法研究了双层石墨烯纳米带的电子能带和输运性质。文章中......
随着现代科技的飞速发展，器件逐渐趋向小型化，传统无机半导体材料制成的器件已经越来越接近尺寸的极限。近几年来，受益于自组装膜、扫......
近年来，分子电子学的发展取得了巨大的进步，尤其是微观表征和操控技术的快速发展，极大地提高了分子器件的研究能力，可在纳米尺度观察研......
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电......
用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法研究了水分子对7个碳原子组成的一维原子链的输运性质的影响.碳原子链放在具有有限截面的......
共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件。采用超高真空外延技术,以p型重掺......
传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)......
利用单电子晶体管和互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的混合结构所具有的负微分电阻特性实现了细胞神经网络(CNN),设计构成了CN......
由于石墨烯具有高电子迁移率的特性，可以用来制备高频电子器件。利用传输矩阵方法，对石墨烯Pn结及方形势垒纳米结构中的负微分电阻效......
采用常规的电子陶瓷工艺制备了Co0.04W0.96O3多晶陶瓷，并对样品进行了微观形貌、相结构及I-V特性测试分析，发现Co0.04W0.96O3多晶陶......
基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法，研究了边界掺杂下锯齿型石墨烯纳米带（ZGNRs）中的自旋输运性质，结果显示：在ZGNRs边......
通过数值求解非平衡态维格纳函数，研究了三量子阱（three-quantum-well）超晶格单元结构共振隧穿电屉电流特性．计算结果表明：增大阱宽，减小......
用第一性原理非平衡格林函数方法研究了O原子掺杂zigzag型硼氮窄纳米带（z-BNNNRs）的能带结构和电子输运特性.研究结果表明：O原子对N原......
优化设计了GaAs／InGaAs／A1As双势垒异质结构，采用台面工艺实现了RTD的器件制备，在3～350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实......
该文用第一性原理非平衡格林函数方法研究了掺杂对7个碳原子组成的一维原子链的输运性质的影响．碳原子链放在具有有限截面的Al（100）电......
该文采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法研究了非对称分子HOOC-C6H4-（CH2）2的输运特性.非对称分子HOOC-C6H4-（CH2）2放在具有有......
大多数分子器件存在负微分电阻效应,其伏安特性曲线具有明显的非线性.该文基于数值计算方法考查了Si4分子器件构成电路中的动力学......
采用基于第一性原理和非平衡格林函数的输运计算方法,研究了4个原子宽度锯齿（zigzag）型纳米带在边界掺Be原子时对输运性质的影响.结......
采用拟合法对SETMOS器件的负微分电阻特性曲线进行研究，得到了它的简化模型，通过细胞神经网络（CNN）结构研究了由SETMOS实现变型蔡氏电......
模拟金电极晶面指数（111）/（100）对C_（20）富勒烯电子输运性质的影响。计算结果表明,在Au（100）-C_（20）-Au（100）分子结的电流—电压曲线上可观察到......
文章用第一性原理非平衡格林函数方法探讨了铝硅团簇：Al2、Si2、Al4和AlSi置于两个铝电极之间时的输运性质。结果发现团簇的输运性......
利用P和Al替代三维BN分子的sp^3键合原子，再通过s原子与金电极相连组成三明治结构的分子器件，并对三维BN分子及替换形成的分子器件的......
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得......
以双笼氟化富勒烯C_（20）F_（18）（CO）_2C_（20）F_（18）为中心分子,与Ag（100）纳米线电极连接构筑分子电子器件,通过第一性原理和非平衡格林函数相结......
隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-Ⅴ)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同......
通过数值求解非平衡态维格纳函数，研究了三量子阱（three-quantum-well）超晶格单元结构共振隧穿电流-电压特性，给出了量子阱结构参数变......
<正>石墨烯量子点(GQDs)具有优异的光电性质,在微电子学,生物医药等领域都具有潜在的应用。本课题组制备了石墨烯量子点水溶液,将......
利用第一性密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了碱金属原子掺杂对BDC60分子电子输运性质的影响．计算结果表明，在极低偏......
利用第一性原理的密度泛函理论与非平衡格林函数方法,研究并五苯分子与锯齿形石墨烯纳米带形成分子器件的自旋输运特性.结果发现,......
近些年来,随着人们认识的深入以及科技的发展,富勒烯、各种团簇分子、纳米线、纳米带、纳米管、石墨烯等一系列低维纳米结构相继被......
石墨烯的发现,引起了全世界的广泛关注,但由于其零能隙的特点,研究人员开始寻找其他二维材料,而后硅烯、锗烯、磷烯和硼烯等在实验......
该文用第一性原理非平衡格林函数方法研究了团簇与电极之间的距离和门电压对团簇Al4输运性质的影响.团簇Al4放置在两个半无限长的A......
