电子输运性质相关论文
本论文报道了几种典型的关联电子体系材料的合成方法、晶体结构与磁学、电学性质。系统的研究了关联电子体系材料在低温下自旋的关......
独特的几何结构使螺旋纳米材料在光电调制、力学传感和量子电感等器件领域拥有重要应用前景。目前,螺旋纳米结构只能通过螺旋位错......
本论文核心内容主要包含以下两部分：1.二维石墨烯的输运性质及六方haeckelite缺陷的影响通过第一性原理计算方法,系统地研究了二维......
石墨烯的电子在狄拉克点附近具有线性能量-动量色散关系，并且在室温下具有很高的迁移率。石墨烯因其优异的电子输运性质，自被发......
石墨烯因高度的载流子迁移率而得到广泛的关注。但是,其固有的零带隙特点也限制了它在光电器件上的应用,比如,基于石墨烯的场效应......
利用分子的电学性质制备多功能、高性能的分子电子器件,已经成为分子电子学的研究热点之一。基于分子特殊的电学性质,已经构建出功......
随着分子纳米器件的不断小型化，利用单分子来构建功能化电子器件将是未来科学技术发展的必然趋势。有机分子，尤其是那些具有共轭π电......
本文采用共溅射的方法在玻璃基底上制备了一系列不同金属体积分数x(0.48≤x≤1.00)的Ni-SiO2颗粒膜；采用单靶射频溅射的方法制备了......
学位
基于从头密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,首次研究了二元化合物GaN链介于两个金电极之间的电子输运性质.模拟了Au-(GaN)2-Au......
F掺杂的SnO2（FTO）薄膜具有高的可见光透过率和优良的导电性，在太阳能电池以及平面液晶显示等诸多领域具有广阔的应用前景。多年来，人们......
碳纳米管(CNTs)及其复合材料由于巨大的潜在应用价值受到研究者们越来越多的关注。CNTs的电学性质与CNTs的螺旋性、形态、层数、直......
我们使用射频磁控溅射仪器,通过改变基底温度,采用单靶溅射方法制备不同结晶程度的C02FeSi化合物薄膜；用共溅射方法在玻璃基底上制......
随着纳米电子学与分子电子学的飞速发展，由纳米电子器件组成的纳米级电路也向着电路体积更小、集成度更高、效率更高的方向发展，所以......
2004年，物理学家首次在实验室制备出了平面二维晶体石墨烯，并立即在凝聚态物理学界引起了一股研究浪潮。这是由于石墨烯具有独特的几......
由于各种各样的原因，量子点阵列中会不可避免地引进各种各样的杂质，而杂质对量子点阵列的输运性质有重要影响。因此非常有必要研究各......
拓扑绝缘体是一类非常奇特的物质相，这类材料最直观的特点就是它们的体态具有能隙，而由于非平庸的能带拓扑，其表面和边界却是受拓扑保......
当今科技发展的一个显著特征是电子器件的微型化，这让纳米电子学成为一门与量子化学、材料科学以及凝聚态物理学科紧密结合的科学。......
分子电子学，是针对于分子水平或者分子尺度上进行电子学或者电子输运特性的研究，目的是能够使用单个分子或者分子簇类集团来代替我们......
石墨烯自从2004年在实验中首次成功制备以来，被广泛研究并应用于高性能场效应晶体管等微电子领域中。与传统材料不同，石墨烯载流子具......
随着集成电路规模不断的扩大，电子器件的尺寸变得越来越小，基于硅的传统微电子技术已经逼近了量子力学极限，微电子技术的进一步发展亟......
目前，在有机共轭聚合物中，电声相互作用对电子输运性质的影响仍是一个重要的研究课题。在较低偏压范围，随着分子长度增加，有些共轭聚合......
碳纳米管和纳米线因为在低维物理的基础研究方面的重要性和在纳米电子器件中的应用前景而受到人们的广泛重视。最近一些实验表明，人......
近年来,电子器件的不断小型化激起了人们对分子器件的研究兴趣。目前已经设计出了各种单分子电子器件如分子导线、分子开关、分子......
本文采用了格林函数的方法分别研究了氮化硼纳米带外加应力状态下以及存在三角形空位缺陷时电子输运性质。对于应力状态下的电子输......
非晶InGaZnO_4(a-IGZO)薄膜兼具高可见光透过率(80%avgT(29))、高迁移率(m(28)10~100 cm~2V-1s-1)、低制备温度和较好的均一性,作......
只有一层原子厚的二维石墨烯具有很多优异的物理性质,它是理论研究与实验研究的理想材料,受到了人们的广泛关注。在电子学方面它极......
随着电子器件小型化的发展，分子器件的研究越来越受到人们的关注。人们发展了各种各样的实验技术来制备分子器件并测量其电输运性质......
杂质和缺陷一直是纳米材料制备中不可避免的，同时，人们又通过掺杂以及制造各种缺陷，以达到所期望的电学性能。本文针对掺杂原子链、石......
本文利用紧束缚近似模型和格林函数方法研究了基于石墨烯的铁磁体/石墨烯纳米带/铁磁体结构中的电子输运性质。我们分别研究了散射......
随着自旋电子学的迅猛发展和新型器件产品的不断开发与应用，铁磁/超导及其多层隧道结中的自旋极化准粒子输运特性和有关铁磁性与超......
随着纳米科技和微加工技术的进步，人们可以在原子分子尺度上操纵原子分子并探测器件的性质，纳米和表面领域的研究突飞猛进，有了非常大......
Graphene及其条带结构表现出来的优秀电子性质使其在纳米电子学领域中有着巨大的潜在应用价值。本文结合密度泛函理论与非平衡格林......
近年来，分子电子学的发展取得了巨大的进步，尤其是微观表征和操控技术的快速发展，极大地提高了分子器件的研究能力，可在纳米尺度观察研......
近年来，以有机单分子构建光电子器件已然成为分子电子学领域的研究热点。九十年代末期，随着微电子学的实验技术的不断改进，许多实验研......
为了解释Ca掺杂与Mg掺杂在影响锂离子二次电池正极材料LiCoO2体系电子输运性质方面的不同效应,采用基于密度泛函理论的第一性原理......
基于Landauer公式 ,研究了有限长的非公度和公度双壁碳纳米管的电子输运性顾 ,结果表明 ,双壁管的几何结构对其电子输运性质有显著......
利用格林函数方法计算了T型介观空腔结构的电子传输特性，分别运用递归格林函数和全格子格林函数技术给出体系的总格林函数，导出T型介......
当物质尺度减少到几层原子时,形成超细的纳米结、纳米线、或者纳米团簇,原有凝聚态物质的结构和物理性质将不再保持,而呈现出许多......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以SiH4、CH4和 H2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜。......
本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响。研究发现,吸附缺陷使armchair型石......
采用离子束溅射方法制备了不同名义厚度的非连续Ni金属膜.用原位的直流电导和交流介电谱方法研究了其活化能与薄膜名义厚度的关系;......
C3N是一种全新的碳基二维半导体材料,C3N具有无孔洞的分子结构,这使其具有良好的载流子迁移能力。所以本文研究其电子输运性质,掺......
采用一维量子波导理论,在给定节点处波函数的边界条件情况下,研究内切环介观结构中的电子输运特性.研究结果表明,电子透射几率随内......
采用介观结构中一维量子波导理论，在给定节点处波函数的边界条件情况下，研究了内含一个气泡的介观环结构的电子输运特性。结果表明，在......
分子通过硫氢官能团可以很强地吸附于金表面上,从而可作为连接体用于纳米电子学中的分子器件.利用密度泛函理论计算了分子的电子结......
