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为提高硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率，我们利用四极杆质谱对高压高功率法沉积硅薄膜过程中硅烷分压进行了监测。研究了硅烷分解率与硅烷浓度、辉光功率以及反应气压关系。结果表明：硅烷浓度增加时硅烷的分解率下降;适当的增加功率可提高硅烷分解，当功率超过一定值时，由于系统功率损耗部分的增加，使得硅烷分解率达到饱和;反应气压增加时，硅烷分解率先降低后增加，这与气压变化对电极电压的影响有关。该规律的获得为指导如何尽可能提高硅烷气体的利用率提供了很好的数据基础。