【摘 要】
:
试验研究了适用于水电站压力钢管部位的自密实混凝土。配制了三个水胶比、八个配合比的二级配自密实混凝土,并分析其工作性能、力学性能、耐久性能和变形性能,在现场进行了6m3生产性试验。配制的自密实混凝土流动性好,其初始坍落度在250mm~258mm之间,坍扩度在568mm~611mm之间。V型漏斗、U型箱试验和J型环试验证明:所配制的自密实混凝土具有较好的流动性、粘聚性、抗分离性和钢筋通过能力。自密实混
【机 构】
:
南京水利科学研究院瑞迪高新技术公司,210024 中国水电三局施工研究所,,725011
【出 处】
:
第十四届全国混凝土及预应力混凝土学术会议
论文部分内容阅读
试验研究了适用于水电站压力钢管部位的自密实混凝土。配制了三个水胶比、八个配合比的二级配自密实混凝土,并分析其工作性能、力学性能、耐久性能和变形性能,在现场进行了6m3生产性试验。配制的自密实混凝土流动性好,其初始坍落度在250mm~258mm之间,坍扩度在568mm~611mm之间。V型漏斗、U型箱试验和J型环试验证明:所配制的自密实混凝土具有较好的流动性、粘聚性、抗分离性和钢筋通过能力。自密实混凝土抗渗等级和抗冻等级分别在W10和F100以上;自密实混凝土极限拉伸值在0.83×10-4~0.99×10-4之间,满足设计要求;90天龄期的混凝土干缩率在5.10×10-4~7.39×10-4之间。生产性试验中,自密实混凝土能够自动流平,具有良好的钢筋通过能力,并密实填充各个角落。在系列试验研究的基础上,推荐水胶比为0.38,掺加30%粉煤灰和20%双掺料的二级配自密实混凝土用于景洪电站压力钢管部位。
其他文献
光子晶体是一种具有光子带隙结构的新材料,独特的性质使它具有广泛的应用前景.本文介绍了光子晶体的概念和性质,发展现状,理论分析方法,制作方法,最后举例说明了光子带隙结构的应用。
本文介绍了光子晶体垂直腔面发射激光器和光子晶体谐振腔增强型探测器的研制方法和主要制备工艺,如光谱测试,氧化工艺和光子晶体制作等,并对测试结果进行了分析.
本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750℃ 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错
本文采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2/ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-100 mm,长150 mm的半绝缘磷化铟单晶。
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.
对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有
本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌:粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、#2、#3和#4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器#2、#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.