Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池热退火工艺的研究

来源 :第十届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhx35003
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃~180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:对于不同成分的CIGS(正常、富Cu、高Ga)来说,150℃,2min的退火条件最利于电池性能的提高;其中,退火对富Cu电池的开路电压改善最大,这是因为空气热退火对消除部分的Cu2-xSe有积极作用,Hall及J-V测试表明,薄膜的电阻率有一定的提高,器件的JSC略有下降,但电池的并联电阻有所增加,从而提高了富Cu电池的开路电压;而对于高Ga电池来说,填充因子FF得到了明显地改善,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,Hall及J-v测试表明薄膜的迁移率及JSC都有所提高。
其他文献
看似平淡无奇的话语之中,却藏有锋利的刀刃WHO IS IT国际政治及美国研究专家,资深翻译家。尽管正处于一年中最为炎热的季节,但是南中国的滚滚热浪却丝毫没有阻却纷涌而至的听
本文采用高压RF-PECVD技术,制备了不同硅烷浓度的n型硅薄膜,研究了硅烷浓度对n型硅薄膜电学特性和结构特性的影响。将上述n型硅薄膜应用到n-i-p微晶硅太阳电池中,研究了n型掺
会议
硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术,目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于非晶硅电池,相变区的微品硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退,且具有良好的
会议
本文利用中频磁控反应溅射(MF-MS)和直流磁控反应溅射(DC-MS)技术分别在玻璃衬底上首先制备了AZO透明导电薄膜,然后利用5%的氯化铵(NH4Cl)溶液对制备的AZO薄膜进行表面织构.利
会议
对在柔性衬底非晶硅太阳电池中有重要应用的Ag/ZnO复合背反射镜进行了研究。利用Ag靶和ZnO∶Al合金靶,在不锈钢衬底上采用射频磁控溅射法制备了Ag/ZnO背反射镜。首先研究了衬
会议
本文研究了掺杂浓度及i/p界面氢处理时间对柔性衬底上的nip结构非晶硅(α-Si∶H)太阳电池性能的影响。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了一系列nip α-Si
会议
本文定义了一个组合参量,等离子体功率与气压的比值,Pw/Pg,并以Pw/Pg为主要变量,建立了射频PECVD制备硅薄膜的沉积相图。用光发射谱(OES)监测了等离子沉积过程,比较了不同沉
会议
研究了氩稀释对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响,结果表明,少量的氩稀释可以提高薄膜生长速率。增加氩气的流量,有利于促进薄膜晶化,但薄膜的生长速率降低。为了进一步认识
会议
研究了大面积近空间升华法沉积装置的物理机制,制备出300×400mm CdTe多晶薄膜。利用XRD,SEM,UV/Vis,电导温度曲线等研究了薄膜结构形貌和光学电学性能。结果表明:刚沉积的薄
会议
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所
会议