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基于SOI优良的抗辐射性能，所以SOI RF LDMOS器件广泛应用于高可靠性的射频系统。本文对不同的I层厚度对SOI RF LDMOS的输入电容、跨导和截止频率等参数的影响进行了分析，分析结果表明：随着I层厚度的增加，输入电容下降，跨导基本不变，截止频率上升。
I层厚度对SOI RF LDMOS参数影响的分析
【摘 要】
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基于SOI优良的抗辐射性能，所以SOI RF LDMOS器件广泛应用于高可靠性的射频系统。本文对不同的I层厚度对SOI RF LDMOS的输入电容、跨导和截止频率等参数的影响进行了分析，分析结
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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