利用液相沉积法制备氧化物抗反射薄膜于硅基太阳电池之应用

来源 :第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ananluo2009
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太阳电池成本一直居高不下,如此一来,要使太阳电池成本降低,须提出几个方案解决,因此本研究利用液相沉积法开发抗反射薄膜制程技术,进而取代PECVD制备抗反射薄膜之技术,其目的是降低太阳电池制造成本,以达到太阳电池于生活中的普及率.本研究利用液相沉积法搭配六氟钛酸铵和硼酸于硅基板上制备二氧化钛抗反射薄膜,并应用于太阳电池上。液相沉积法为低温制程、具选择性沉积、大面积生产、薄膜成分容易调整,以及可批次量产等优点。在最佳制程条件下,制程温度60度以及硼酸浓度0.6M下,波长范围为400~800nm下,平均反射率为5.52%,而二氧化钛抗反射薄膜应用于6时多晶硅太阳电池上,其光电转换效率可达15.93%。
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锗锡是硅基光电子领域最有潜力的材料之一.锗锡不仅可以通过锡组分来调节带隙和能带结构,实现0~0.8eV的带隙可调和间接带隙与直接带隙能带结构的转变,而且锗锡是四族材料,可以兼容现有的硅CMOS工艺.然而,由于锗锡与硅之间具有14%的晶格失配,且锡在锗中的固溶度低于1%,这使得在硅上外延锗锡,特别是高锡组分的锗锡困难重重.尽管如此,人们采用CVD和MBE技术在硅衬底上已经成功外延出锗锡材料,并制备了
基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存在.在实验结果的基础上,通过优化器件结构设计了出射波长为1600nm的SOI上SiGe/Ge多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL).
传统的电互连因其有限带宽和高功耗,发展遇到了瓶颈.硅基光互连被认为是最有前景的下一代互连技术,但由于硅是间接带隙半导体材料,发光效率低,实现CMOS工艺可兼容的硅基通信波段发光是巨大的挑战,亟需突破.锗量子点具备发光波段在通信波长内,与CMOS工艺兼容等优点,被认为是一种实现硅基发光器件的可行途径.本文以实现高Q值的锗量子点发光为目标,在包含有13层锗量子点的340nm厚顶层的SOI上,设计制备纳
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