【摘 要】
：
By Mg pretreatment of the bottom GaN barrier surface,the growth behavior of the high indium content InGaN/GaN quantum wells(QWs)changed greatly;the interface quality and luminescence capability were s
【机 构】
：
Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,P.R.China
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
By Mg pretreatment of the bottom GaN barrier surface,the growth behavior of the high indium content InGaN/GaN quantum wells(QWs)changed greatly;the interface quality and luminescence capability were significantly improved.Without Mg pretreatment,spiral growth dominated;lateral fluctuation of indium content and QW thickness,lack of interface abruptness,and formation of In-rich regions were evident within the InGaN layer.With Mg pretreatment the InGaN layer was of homogeneous indium distribution and abrupt interfaces as investigated by X-ray diffraction and scanning transmission electron microscopy.The luminescence properties were investigated by photoluminescence,cathodoluminescence and electroluminescence(EL)measurements,and further analyzed by energy band structures of various InxGa1-xN/GaN QWs.Enhanced light emission from the Mg pretreated InGaN layer was achieved and attributed to the improvement of interface quality,reduction of polarization field and suppression of nonradiative recombination at dislocation pits.
其他文献
GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的
GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器件等研究领域.对于GaAs材料的关注历来已久,GaAs半导体纳米线的生长工作也越来越受到重视,进来Trukhin等人利用GaAs纳
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，望借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底
Ⅲ族氮化物作为宽禁带半导体的重要成员，具有宽广连续可调的直接能带隙，是发展紫外-可见波段光电子器件的优选材料.近年，我们重点研究了用于制备日盲紫外探测器的高Al组分的AlGaN材料和异质结构，发展了AlGaN金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器，暗电流低至10-15A；吸收倍增区分离(SAM)及极化增强的紫外雪崩光电二极管(APD)器件，雪崩增益高达104.在发光器件方面，我们探索了Ⅲ族氮化
AlGaN材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视，但是由于AlGaN材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。本报告中将介绍采用"两步法"高温MOCVD生长高质量AlN/sapphire模板，并以此为基础制备了高质量的AlGaN紫外器件结构材料。系统研究了不同生长参数，如缓冲层生长温度、厚度、Ⅲ/Ⅴ比以及及高温层的生长温度、生长压强等对AlN模板结晶质量
In situ asymmetric island sidewall growth(AISG)was developed to improve the crystalline quality of the(11-22)GaN films on m-sapphire.By AISG the Ga-face facet growth along the +c [0001] inclined direc
紫外探测是宽禁带半导体材料在光电器件领域的重要应用领域之一。日盲紫外焦平面探测器是这类应用中的关键核心元件。由于焦平面探测器采用与硅读出电路的混成互连方式，需要研制背照射结构的pin材料。利用蓝宝石上生长具有异质结结构的高铝组分AlGaN材料可以满足这种焦平面器件的材料需求。由于材料的结构一定程度上决定着探测器的性能，因此分析研究外延片的质量是器件级材料筛选的重要内容。透射光谱分析方法具有非破坏性
由于AlGaN/GaN异质结二维电子气密度高,加之GaN材料具有击穿电场强度高、电子饱和漂移速率高等优点,因此GaN基HEMT在高频大功率电子器件领域具有极高的应用价值.实现高耐压是AlGaN/GaN HEMT器件在高温以及大功率环境下应用的重要条件之一.采用连接源极或者漏极的多层金属场板能够使电场分布沿着二维电子气沟道方向不会特别集中,从而提高耐压不能够使其发生击穿.但是金属场板的加入也会使电容
Effect of a polarized P(VDF-TrFE)ferroelectric polymer gating on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors(MOS-HEMTs)was investigated(Figure 1).The P(VDF-TrFE)gating in th
石墨烯具有优良的电学、光学、热学、机械以及化学稳定性能,其在电子领域的应用受到了广泛关注和研究。金刚石良好的导热性及绝缘性能使其成为FET的理想衬底。因此,将石墨烯和金刚石二者有机地结合可以做成碳兼容的异质结,从而实现在金刚石上的全碳电子器件。本文主要研究了化学气相法(CVD)生长的石墨烯转移到金刚石衬底上形成石墨烯/金刚石异质结的方法,并对转移后的石墨烯/金刚石进行拉曼光谱的表征及电学性能测试。