目前,高存储密度、良好可靠性与高性能的闪存设备已经广泛应用于移动计算、嵌入式系统和云存储系统中。多级存储单元(Multi-Level Cell,MLC)技术可以提高闪存的存储密度。但是,电荷泄漏和读写干扰等噪声可能引起MLC型闪存数据的损坏,从而可能导致闪存单元的“右移位错误”、“正则移位错误”、“突发稳定擦除错误”与“突发不稳定擦除错误”。因此,MLC型闪存系统面临着数据存储的可靠性问题。基于等级调制方案的置换码和多重置换码可以提高闪存数据可靠性问题,改善闪存的信息存储效率。通过利用MLC闪存单元间电荷电压的相对等级来表示数据,该方案可以采用置换或者多重置换来存储信息。近年来,等级调制方案下置换码/多重置换码的构造及其译码方法已经成为面向闪存的差错控制编码领域的重要研究方向。然而,对于“右移位错误”、“正则移位错误”与“突发稳定擦除错误”,目前没有等级调制方案下关于可纠这些错误的多重置换码的研究。本文主要研究了等级调制方案下置换码与多重置换码的一些构造方法,得到的主要研究成果可总结如下:1.通过分析等级调制方案下多重置换的“右移位错误”与“正则移位错误”的特征,利用多重集合的划分手段和多重置换的交织策略,提出了可纠单个右移位错误/单个正则移位错误的两类多重置换码的构造方法。所提出多重置换码具有简单直接的译码方法。同时利用实例验证了所提出的两类多重置换码构造方法及其译码方法的正确性。2.在深入分析闪存单元的“单个突发稳定擦除错误”与“单个突发不稳定擦除错误”的特征的基础上,利用置换码的交织技术,提出了可纠单个突发稳定擦除错误/单个突发不稳定擦除错误的两类置换码的构造及译码方法。通过实例验证了所提出的两类置换码构造方法及其译码方法的正确性和有效性。性能分析表明所提出的两类置换码都是渐近最优码。3.针对闪存单元在多重置换中的单个“突发稳定擦除错误”模型,借助置换码的交织技术,提出了一种可纠正单个突发稳定擦除错误的多重置换码的构造及译码方法。针对闪存单元在多重置换中的单个“突发不稳定擦除错误”模型,利用一种新的等级解调方案,提出了可以纠单个突发不稳定擦除错误的多重置换码的构造及译码方法,该多重置换码具有简单的译码方法。而且,证明了所提出多重置换码都是渐近最优码。