【摘 要】
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在双层多晶硅发射极工艺技术的基础上,设计了微波功率晶体管的版图.版图设计充分利用了双层多晶硅结构的特点和优点,有利于提高器件的图形优值和可靠性.重点研究了第一层多晶
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在双层多晶硅发射极工艺技术的基础上,设计了微波功率晶体管的版图.版图设计充分利用了双层多晶硅结构的特点和优点,有利于提高器件的图形优值和可靠性.重点研究了第一层多晶硅的刻蚀和复合介质层的L型侧墙隔离,制备出的E-B侧墙的的成品率为99.6﹪.制作出的双层多晶硅发射极功率晶体管直流特性良好,BE结反向击穿电压都大于5.0V,均匀性好,成品率高.分析了晶体管在高频下功率增益低的原因,指出基极电阻和发射极串联电阻过大是影响高频功率输出的主要原因,据此提出了进一步改进版图和工艺的措施.
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