近年来工业化和城市化的迅速发展导致环境污染问题越来越严重,尤其是农药、印染、医药等产生的废水会不可避免地排进水系统,造成严重的水污染。废水中大量的有机污染物不仅会影响水体透明度、酸碱性、含氧量等,更会造成细菌耐药性,甚至破坏人体免疫系统从而致敏致癌,给环境安全和人类健康带来极大威胁。因此,寻求一种高效清洁的方法来处理有机污染物废水对于解决目前的环境污染和能源危机具有重要意义。光催化降解法可以在实现太阳能利用的同时降解污染物,且环保高效,是一种有应用前景的废水处理方法。但常用的半导体催化剂通常光利用率低,催化活性差,不能满足光降解的实际需求。其中,硒化铋（Bi2Se3）带隙可调,具有金属表面态特征,是一种潜在的二维半导体光催化材料。然而,硒化铋也存在光利用率低和光生电子-空穴对易复合的问题,通过掺杂元素和构建异质结调控其能带结构,有望实现对硒化铋材料光催化降解性能的调控。本文以调控硒化铋的能带结构和改善其光催化降解性能为研究目的,采用水热法分别制备了N掺杂Bi2Se3、Bi2Se3/g-C3N4和Bi2Se3/Zn Se复合材料。调控了复合材料的形貌及能带结构,探究了复合材料对环丙沙星及其他有机污染物如甲基蓝、苯酚、甲基紫等的光催化降解性能,并对Bi2Se3复合材料光催化降解环丙沙星的机理进行了探究。具体的研究内容和结论如下:（1）采用辅助剂法合成了改性Bi2Se3材料,考察了助剂种类及添加量的影响,实现了对Bi2Se3纳米片能带结构和形貌的调控。以六次甲基四胺为助剂,可合成N掺杂Bi2Se3,对环丙沙星降解具有最佳催化活性。其中,BSN-2材料在2 h的光照后可降解88.8%的环丙沙星,反应动力学常数是纯Bi2Se3的1.8倍,且BSN-2对多种有机污染物都有良好光降解活性。表征及理论计算结果表明,助剂中的N元素在水热条件下成功掺入到Bi2Se3中,调控了材料能带结构从而提高了光利用率,减少了光生载流子复合,增强了Bi2Se3的光催化降解活性。（2）采用煅烧和水热的方法,合成了g-C3N4、Bi2Se3和Bi2Se3/g-C3N4复合材料,通过改变g-C3N4和Bi2Se3的比例,实现了对Bi2Se3/g-C3N4异质结构的调控。探究了不同Bi2Se3/g-C3N4异质结的光催化降解环丙沙星性能,提出了光降解机理。研究结果表明,Bi2Se3和g-C3N4构成的异质结为Ⅱ型,可有效促进电子-空穴对的分离,其中,BS-0.20 CN材料在1 h光照后对环丙沙星的降解率达到94.0%,远高于纯Bi2Se3和g-C3N4,且具有较好的稳定性。（3）采用一步水热法成功制备了Bi2Se3/Zn Se异质结材料。通过调控Bi2Se3和Zn Se的理论摩尔比,对异质结进行了调控。研究结果表明,当Bi2Se3:Zn Se=1:1时,Bi2Se3/Zn Se异质结光催化降解活性最高,环丙沙星降解率在1 h光照后可达96.1%。且该样品对废水中多种有机污染物都表现出优良的光降解活性,1 h光照后对甲基紫、甲基蓝、苯酚和罗丹明B的去除率分别达到93.4%、90.7%、87.3%和84.3%。