上世纪80年代以来，硅(Si)基微机电系统(MEMS)的研究在全球迅猛发展，各种MEMS器件在日常生活、化工生产和航空航天等方面得到了广泛应用。但在高温高压和腐蚀性环境下，传统Si基器件由于材料本身的限制，面临着很大挑战。而碳化硅(SiC)材料有着优异的物理化学性能，有望应用于上述恶劣环境中。在SiC材料的分支中，低温SiC的电学性能和力学性能虽然不及高温SiC材料，但它保留了很好的化学稳定性，同时，还具有很好的与现有微加工工艺的兼容性。因此，低温SiC的研究对于MEMS的发展具有重要意义。　　本论文以PECVD低温制备SiC薄膜材料为主线，对其工艺和应用两方面进行了深入系统的研究，包括确定PECVD制备参数和应力调控方法、开发SiC静电键合工艺、成套的SiC掩膜光刻工艺，以及PECVD SiC MEMS体加工工艺等，进而得到纳米SiC悬浮薄膜和抗腐蚀的以SiC为感应薄膜的电容式压力传感器。　　论文的主要工作包括以下几个方面:　　首先，确定PECVD制备低温SiC薄膜材料的工艺参数，并优化退火工艺，实现对SiC薄膜的应力调控，得到具有良好的机械性能、化学稳定性和工艺兼容性的SiC薄膜后，提出SiC悬浮薄膜的加工工艺，制备出有纳米孔的SiC悬浮薄膜，拓展SiC在生物医学等方面的应用;　　其次，利用SiC悬浮薄膜工艺，制备SiC掩膜版，开发出成套的SiC掩膜光刻技术，包括利用掩膜版进行材料淀积、刻蚀（图形化精度达3μm）和多次掩膜光刻的对准工艺（对准精度达5μm）;并进一步将此技术应用到黑硅光电池的图形化电极加工中;　　然后，开发以SiC为介质的静电键合工艺，包括键合基本原理的研究，即界面处SiC的氧化，促成了稳定的化学键合，其键合强度随SiC介质层的厚度增加而下降，气密性与传统硅玻璃键合可比拟，还分析了静电键合过程中气体的产生，从实验上测算了单位面积产生的气体量，并与理论值吻合较好，并进一步考察了键合工艺对薄膜机械性能（主要是应力和应力梯度）的影响;　　最后，基于SiC键合工艺，开发了一套PECVD SiC MEMS体加工工艺，并设计、制备以SiC为感应薄膜的抗腐蚀的电容式压力传感器，对器件进行了全面的测试、优化、封装，并从实验上证实该器件可应用于腐蚀性环境中。　　综上所述，本论文对PECVD制备的低温SiC开展了全面系统的研究，总结规范了PECVD SiC薄膜制备和应力调控流程;开发了成套的SiC掩膜光刻工艺，其中单步图形化工艺精度为3μm，对准精度达5μm;考察了SiC静电键合工艺，考察了氧离子定向漂移与键合界面氧化层和残余气体产生的关系，有助于静电键合理论的进一步完善;创新性的开发了PECVD SiC MEMS体加工工艺，制备了抗腐蚀的电容式压力传感器，对于感应薄膜大小为200μm×200μm的器件，灵敏度约为0.1 pF/bar。