视觉短时记忆(visual short-term memory，VSTM)可以定义为视觉工作记忆(visual working memory)中用于存储的部分。VSTM中所能存储的最大信息量叫做视觉短时记忆容量(capacity)。实证性研究表明，VSTM容量受到theta脑节律(4~8Hz)的影响。采用theta节律带的电/磁刺激改变被试脑节律，发现低频时VSTM容量的增加，而高频时容量会降低。通过一定手段改变脑节律的过程叫做频率夹带(entrainment)。除了周期性变化的电/磁活动之外，周期性感觉刺激也可以改变脑节律，即感觉夹带。然而目前为止，仍然没有研究探索感觉夹带对VSTM的影响。本研究将第一次使用感觉夹带来改变脑节律，探索theta脑节律是否会引起VSTM容量的改变。
　　本研究使用以不同频率发生正弦方式明度变化的视觉周期性刺激(闪烁)来引起脑节律夹带，采用变化觉察范式(change detection paradigm)测量VSTM容量。具体方式是在被试进行容量测量任务时，任务背景以规定的频率发生闪烁，从而在被试进行认知活动的过程中夹带特定频率的脑节律。本研究包含四个实验。实验1的目的是探索不同频率背景闪烁是否会引起被试VSTM容量改变。自变量为背景闪烁方式，有4Hz、7Hz、10Hz、不闪烁和随机闪烁五个水平。结果表明当背景以4Hz闪烁时，会引起VSTM容量的提高，其他闪烁方式下的容量均与作为基线的不闪烁条件无显著差异。这说明处于theta节律带低频段的闪烁确实对VSTM有积极影响。实验2验证了这种现象是否和大脑偏侧化有关。实验2将视野分为左右两侧，随机线索化其中一侧来操控参与VSTM的大脑半球。结果表明7Hz依然无法影响VSTM容量，而分视野条件下4Hz闪烁对VSTM容量的影响也消失了。这表明闪烁需要双侧半球同时参与才能影响VSTM。实验3在实验2的基础上增加了记忆项目数量的变量，来探索实验2的结论是否会受到记忆项目数量的影响。结果表明，除了记忆阵列项目数量主效应显著之外，其他效应均不显著。进一步分析发现仅在项目数量为2时VSTM容量的提升，而此时无法达到VSTM容量的天花板，可以认为此时容量计算不准确。实验4有两个目的，第一是确定前三个实验中背景闪烁引起的项目错觉闪烁是否干扰结果，第二是确认4Hz闪烁发挥作用的阶段是否是编码阶段。结果表明，项目闪烁并不能引起容量的改变，错觉闪烁不是容量变化的原因。而当编码阶段不闪烁时，4Hz背景闪烁引起的容量提升效应会消失，说明编码期是4Hz背景闪烁对VSTM发生促进作用的关键时期。
　　本研究的结果说明，当背景以4Hz闪烁并且记忆项目分散呈现在视野中央时，VSTM的容量会提升，并且此效应发生的阶段是编码期。本研究所得结果无法完全支持神经振荡嵌套模型，因为在theta节律的高频段未发现VSTM容量相对于基线的降低。同时，本研究表明，视觉频率夹带可能需要在双侧脑半球同时参与VSTM过程的情况下才能引起VSTM容量的变化。进一步研究也许可以使用其他频率乃至合成跨频率耦合的波形的闪烁来探索视觉夹带脑节律对VSTM的影响，也可以将目前的结果进一步推广到其他感觉通道上。