科技的发展对材料物理化学特性的要求越来越高。其中,纳米材料体现出了其超越体相材料的诸多优点而备受研究人员关注。近年来,随着人们在纳米材料领域和新型器件领域的研究越来越深入,发现二维材料在光电子领域中具有非常宽广的应用前景,包括应用于新一代光电探测器、太阳能电池、光驱动气敏传感器等。要满足实际应用的要求,需要所构建的器件非常灵敏。本论文就以构建高灵敏度的光电探测器为目的,使用PLD技术制作高质量、大面积、厚度精确可控的SnSe₂/In₂Se₃垂直异质结;然后自组装制成原理型光电探测器件;最后再对器件进行表征,分析光电响应机理。主要的研究内容如下:1.基于脉冲激光沉积技术制备大面积的二维In₂Se₃薄膜、SnSe₂薄膜和SnSe₂/In₂Se₃异质结薄膜。制备时通过控制激光能量、激光脉冲数、衬底温度、载气流量等参数,控制所制备薄膜的厚度和质量,获得最优化的制备条件,制备出大面积、高质量、不同厚度的二维材料薄膜样品。2.利用紫外光刻技术确定电极的位置,用热蒸发技术沉积Ti/Au60/10 nm)平行电极,自组装构成In₂Se₃和SnSe₂基双端型器件。测试单纯In₂Se₃和SnSe₂器件的光电探测性能。结果表明:In₂Se₃和SnSe₂薄膜与Ti/Au电极形成良好的欧姆接触;同时,两种器件都表现出不错的光电探测能力,In₂Se₃器件的暗电流小于SnSe₂器件,而光电流确大于SnSe₂器件,表现出更好的光电探测性能。3.在In₂Se₃器件基础上通过PLD技术再长一层SnSe₂薄膜,构成SnSe₂/In₂Se₃垂直异质结光电探测器。测试结果表明,所制备的异质结器件具有6.3 p A的超低暗电流,相比单纯In₂Se₃和SnSe₂器件降低了一个数量级。同时,异质结器件具有8.8×10¹¹Jones的检测率,3.4/3.7 ms的上升/下降速度以及大于3×10⁴的高信噪比,这些参数远远优于单种材料器件。4.测试并分析了两种材料的能带结构,证明它们可以构成Ⅱ型异质结。Ⅱ型异质结材料界面处会形成耗尽层并伴随有内建电场。耗尽层降低了器件的暗电流,内建电场促进了光生载流子的分离,从而提高了器件的光电探测性能。5.将SnSe₂/In₂Se₃垂直异质结构建在柔性聚酰亚胺（PI）上,构建出柔性光电探测器件。这些柔性器件也显示出有效的光检测能力,即使弯曲200次后,光响应变化不超过2%。