有机发光二极管（OLED）是下一代的显示和照明技术,面临着OLED效率滚降的瓶颈问题。OLED的发光和效率滚降是电子和能量过程,在此过程中,电荷注入、存储以及耗散起着重要作用。为了研究界面电荷存储时OLED效率滚降的机理,设计了一系列以Ir（ppy）₃掺杂CBP作为发光层的有机发光器件,分别通过5nm、6 nm、8 nm、9 nm等不同厚度PMMA层进行载流子注入与存储的调控,研究界面电荷积累对载流子注入与传输以及器件发光效率滚降的影响,分析了其作用机制。具体内容如下:首先,5nm、6nm电荷存储层的器件比基础器件的空穴电流密度更高,而8nm、9nm的电荷存储层器件的空穴注入被抑制。通过不同厚度电荷存储层的器件的发光特性与基础器件比较发现,载流子注入越有效且越不平衡的器件中,界面电荷存储越严重,器件效率滚降越严重。接下来,电容-电压测试可以得到载流子注入与复合的关系,从中发现基础器件以及5nm、6nm电荷存储层的器件中载流子注入更有效,并且会产生多余电荷的积累与存储。在文中器件中的电荷存储层与发光层界面处会产生界面电荷存储,器件内部的界面电荷存储区域与激子形成区域会发生交叠,在交叠区域内累积电荷会对激子产生淬灭效应,使得激子数目减少,影响器件发光性能。PL和EL寿命测试对比中发现不同器件的PL寿命差别不大,而EL寿命却出现差别,说明激子寿命的变化是受电场的影响。时间分辨发射光谱也证明了界面电荷与激子猝灭的关系,OLED效率滚降与界面电荷存储呈正相关,尤其是在OLED的不平衡电荷注入下。最后,通过关闭状态下的瞬态电致发光手段测试器件内部电荷的释放,在正向和反向关断电压之后都有发光尖峰出现,分别对应电子扩散和陷阱载流子的释放。不同反向电压下的发光尖峰分别进行了对比,发光尖峰都是随着反向电压的增大而增大的,产生这个变化的原因是在绝缘层内部具有三类不同位置处的存储电荷:界面存储电荷、浅陷阱处的电荷、深陷阱处的电荷,浅陷阱处的电荷在比较小的反向电压下容易释放,而深陷阱处的电荷只有在比较高的反向电压下才能释放。图28幅,表1个,参考文献63篇。