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[期刊论文] 作者：夏锦禄,,
来源：上海金属.有色分册 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：夏锦禄,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1981
本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶...
[期刊论文] 作者：夏锦禄,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1982
4月27日至4月29日在上海市松江县召开了上海市“硅单晶”及“硅的旋涡缺陷检测方法”标准审定会。会议是在国家标准总局、上海市经委、科委的领导下召开的。出席会议的有:国...
[期刊论文] 作者：T.F.CISZEK,夏锦禄,,
来源：上海有色金属 年份：2004
在真空中用电子束加热,从直径100毫米的基座棒上生长直径40毫米的硅晶体。在晶体生长过程基座被消耗着,这样就提供着连续的无坩埚工艺。一个偏心放置在基座熔体上的环形电子...
[期刊论文] 作者：T.F.CISZEK,夏锦禄,,
来源：上海有色金属 年份：2004
旋转的悬浮区熔硅晶体的外部生长特性通常是正直的圆柱状。然而,向上的区熔的[111]无位错晶体,有时从圆柱状显示一个脊状的突出。此突脊的横截面约为1-2平方毫米,而且一直沿...
[期刊论文] 作者：胡才雄,夏锦禄,
来源：上海有色金属 年份：1995
本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的......
[期刊论文] 作者：吉加龙,夏锦禄,,
来源：上海冶金 年份：1980
本文概述 Si—LiX 射线探测器用优质悬浮区熔硅单晶的研制,着重叙述如何降低区熔硅单晶中的氧含量的试验。探索出降低区熔硅单品氧含量的规律,得出制备 Si—Li 探测器优质硅...
[期刊论文] 作者：夏锦禄,刘凤伟,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1982
该会于一九八一年十二月在广州市举行。这是十多年来规模最大的一次半导体学术盛会。来自全国25个省、市、自治区130个单位370名代表参加了本届年会。会上,我国几位主要半导...
[期刊论文] 作者：胡才雄,夏锦禄,张建宇,
来源：上海有色金属 年份：1995
本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的......
[期刊论文] 作者：周禧,郭子刚,诸祥康,夏锦禄,,
来源：上海冶金 年份：1980
为满足大规模集成电路对硅材料提出的晶体直径和长度大型化的要求,已研制成功DL—78型大型硅单晶炉。该炉为15—30公斤级,可拉制直径75—100毫米、长1400毫米的晶体。本文介...
[期刊论文] 作者：纪振山,刘凤伟,夏锦禄,汪光裕,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1984
四硅材料质量因素分析及提高质量途径纯度是衡量超纯硅质量的主要标志,硅单晶质量在很大程度上取决于超纯硅纯度。因此自六十年代起世界各国特别注重提高超纯硅纯度,到七十...
[期刊论文] 作者：纪振山,刘凤伟,夏锦禄,汪光裕,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1984
本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低...
[期刊论文] 作者：朱克皓,宋大有,夏锦禄,姜治平,黄世金,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1985
本文简述了DL-78型大直径、大容量直拉硅单晶工艺中石英坩埚的使用情况,对石英坩埚形状、尺寸的确定,原材料类别的选择、其杂质含量对硅单晶的影响,使用后被浸蚀情况进行了探...
[期刊论文] 作者：夏锦禄,朱克皓,姜治平,褚祥康,黄世金,
来源：稀有金属 年份：1984
一、前言 电子工业的发展正给整个工业体系带来革命性的变化。作为电子工业发展的主要代表是LSI和VLSI。它在小型化、轻量化、低耗能和高速化等方面的优越地位,都是任何其它...
[期刊论文] 作者：宋大有,朱克皓,姜治平,夏锦禄,吴丁芳,黄世金,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1984
本文较详细地介绍了在利用国产大型硅单晶炉拉制直径80毫米重10公斤硅单晶时的热场设计,给出了大容量的石英坩埚外型尺寸、新型结构的石墨坩埚托几何图形和保温系统材料种类...
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