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[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,
来源：半导体学报 年份：2000
利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络...
[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,
来源：半导体学报 年份：2000
利用３μｍ工艺条件制得ＳｉＧｅ，器件的特征频率达到８ＧＨｚ．６００ＭＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．０４ｄＢ，相关功率增益为１２．６ｄＢ，１ＧＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．９ｄＢ，相关功率增益为９ｄＢ，器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景。......
[期刊论文] 作者：张进书,罗台秦,
来源：半导体学报：英文版 年份：1998
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[期刊论文] 作者：张进书,罗台秦,
来源：半导体学报 年份：1999
本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究。ＳｉＧｅ ＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ。在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波......
[会议论文] 作者：金晓军,张进书,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：张进书,金晓军,钱佩信,罗台秦,
来源：半导体学报 年份：1998
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅......
[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2000
利用 Z参数噪声网络等效电路的分析方法 ,得到了用器件 Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式 ,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析 ,并把器件的网络...
[期刊论文] 作者：钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：2000
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6...
[期刊论文] 作者：钱伟,金晓军,张进书,陈培毅,林惠胜,钱佩信,
来源：电子学报 年份：1998
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越高的器件，虽然直流增益得到很大提高，但伴随着......
[期刊论文] 作者：金晓军，贾宏勇，张进书，钱伟，韩勇，刘荣华，林惠旺，陈培毅，,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：1999
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：张进书,钱伟,陈培毅,钱佩信,罗台秦,王于辉,孙同乐,王庆海,
来源：半导体学报 年份：1998
本文报道一种新开发的Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结极晶体管（ＨＢＴ），ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ，在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集奄极转......
[期刊论文] 作者：金晓军,贾宏勇,张进书,钱伟,韩勇,刘荣华,林惠旺,陈培毅,钱佩信,
来源：清华大学学报(自然科学版) 年份：1999
为了研制出高性能的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结器件，生长出适合器件应用的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）设备，研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度以及组份随ＧｅＨ４流量的变化规律。实验结果表明：Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度随ＧｅＨ４流量......
[期刊论文] 作者：张进书,金晓军,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,罗台秦,杨增敏,黄杰,梁春广,
来源：半导体学报 年份：1999
本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功......
[期刊论文] 作者：张进书,钱伟,陈培毅,钱佩信,罗台秦,王于辉,孙同乐,王庆海,高颖,梁春广,冯明宪,林其渊,
来源：半导体学报 年份：1998
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电......
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