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[期刊论文] 作者：彭正夫,
来源：半导体杂志 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
对利用加热器的辐射热在高压单晶炉内合成InP的热场设计作了分析,并给出了实验结果。...
[期刊论文] 作者：彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
1981年GaAs及其有关化合物国际讨论会于9月20～23日在东京召开.讨论会的主要发起者是日本电子学与通讯工程师学会(IECE).参加这次会议的代表共200多人.我国派去代表5人,其中四...
[期刊论文] 作者：彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
本文介绍半绝缘GaAs的补偿模型,讨论国内外的近期实验结果,进而指出:采用液封直接合成工艺,欲用石英坩埚生长未掺杂半绝缘GaAs晶体的可行途径是控制B_2O_3中的含水量.This...
[期刊论文] 作者：彭正夫,
来源：稀有金属 年份：1984
对利用加热器的辐射热在高压单晶炉内合成InP的热场设计作了分析并给出了实验结果。作者在已发表的文章中提到了在高压单晶炉内液封合成InP的方法,但对该法未作详细讨论,本文...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允,
来源：半导体杂志 年份：1994
新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度......
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：半导体情报 年份：1991
本文报道了用国产MBE装置和源材料生长调制掺杂(MD)AlGaAs/GaAs结构材料,用霍耳效应、光荧光测量材料的电学和光学性能,用电化学C-V检测分布特性,用电光检测法评估材料的均匀...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：半导体杂志 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high el...
[期刊论文] 作者：孔梅影,彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
由中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延(MBE)学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校和工厂的代...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。...
[期刊论文] 作者：张允强,彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,...
[期刊论文] 作者：张允强,彭正夫,
来源：半导体情报 年份：1991
用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长，输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ．......
[期刊论文] 作者：张允强,彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制...
[期刊论文] 作者：彭正夫,汪善孝,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
——本文介绍一种制备InP单晶的新工艺.工艺特点是实验周期短和沾污少.晶体电学参数已达到N_D-N_A=4.53×10~(15)cm~(-3)和μ_(77K)=29920cm~2/V·s.(111)In面的位错密度为10...
[期刊论文] 作者：彭正夫,朱经济,朱顺才,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文采取理论计算与实验数据相拟合的方法,简明地图解了掺Fe或同时掺Fe和Ga的半绝缘InP的电学性质.当选取电子与空穴迁移率之比μ_n/μ_p(?)20时,两种材料的Hall迁移率μ_H都...
[期刊论文] 作者：张允强,彭正夫,高翔,孙娟,,
来源：半导体情报 年份：1991
用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。The...
[期刊论文] 作者：彭正夫,张允强,龚朝阳,高翔,孙娟,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此...
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