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[学位论文] 作者:王连锴,, 来源:长春理工大学 年份:2008
针对空间激光通信发展对小型光源的需求,本文设计了一种与单模小功率半导体激光器单片集成的激光放大器。本文综合考虑了空间激光通信对光源的要求及半导体激光器的特性,提出...
[学位论文] 作者:王连锴,, 来源:吉林大学 年份:2014
锑化物是一类窄带直接带隙III V族化合物半导体,其独特的光电性质引起人们极大的研究兴趣。在红外探测、热光伏、超高频率和超低功率器件等领域中有广泛的应用前景。但锑化物...
[期刊论文] 作者:王连锴,李占国,, 来源:电脑迷 年份:2018
0引言rnLiDAR(Light Detection And Ranging),即激光雷达,是利用激光、全球定位系统 GPS 和惯性测量装置( Inertial Measurement Unit,IMU)三者合一,获得数据并生成精确的数...
[期刊论文] 作者:王连锴,王达成,赵迪, 来源:智库时代 年份:2018
本文介绍了一种新的制备氟碳薄膜的方法,即利用介质阻挡放电系统电离工作气体来生成等离子体用以沉积氟碳薄膜。我们设计了一种以同轴结构为介质阻挡放电电极的实验装置(介质...
[期刊论文] 作者:张宇飞 王连锴 杨继凯, 来源:科学与财富 年份:2018
摘要:以钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为原料,草酸铵((NH4)2C2O4·H2O)为辅助剂,采用水热法成功的制备了氧化钨(WO3)纳米块薄膜。通过X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)测试手段对样品进行表征。并研究了不同水热时长对WO3纳米块薄膜光电催化活性的影响。  关键词:WO3纳米块;水热法;......
[会议论文] 作者:吕游,刘仁俊,王连锴,李国兴,张宝林, 来源:第13届全国MOCVD学术会议 年份:2014
GaSb作为直接带隙窄禁带半导体材料,且兼具载流子迁移率高,空穴有效质量小等优点,近年来随着高速晶体管、光纤通讯和高效光伏电池等领域研究深入开展而受到愈来愈多的关注.与此同时,Si上外延生长GaSb加工多种光电器件并与可其他硅基半导体器件一体化集成,而且Si......
[期刊论文] 作者:张海舟, 母一宁, 王连锴, 詹丹, 宋德,, 来源:真空科学与技术学报 年份:2017
依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究了EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响。模拟研究了入射光电子在倍增层处的电子运动轨迹,...
[期刊论文] 作者:刘仁俊,李天天,杨皓宇,王连锴,吕游,张宝林,, 来源:发光学报 年份:2013
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点。通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是...
[会议论文] 作者:王连锴,刘仁俊,吕游,李国兴,张源涛,张宝林, 来源:第13届全国MOCVD学术会议 年份:2014
GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子......
[会议论文] 作者:王连锴,李天天,杨皓宇,吕游,李国兴,张宝林, 来源:第十二届全国MOCVD学术会议 年份:2012
[会议论文] 作者:李天天,杨皓宇,王连锴,吕游,李国兴,张宝林, 来源:第十二届全国MOCVD学术会议 年份:2012
[会议论文] 作者:杨皓宇,李天天,王连锴,吕游,李国兴,张宝林, 来源:第十二届全国MOCVD学术会议 年份:2012
[会议论文] 作者:吕游,李天天,杨皓宇,王连锴,李国兴,张宝林, 来源:第十二届全国MOCVD学术会议 年份:2012
[期刊论文] 作者:王涛,廉城,王连锴,宦克为,母一宁,陈卫军, 来源:中国激光 年份:2021
基于分步傅里叶法研究了饱和非线性介质中艾里光束与孤子的交互作用.仿真结果表明,单艾里光束与孤子作用时,可通过调节艾里光束与孤子的初始强度比、光束初始间隔及相位差控制交互作用后光波的传播模式.弱能量艾里光束与孤子碰撞后会形成峰值强度呈阻尼振荡的呼......
[期刊论文] 作者:陈卫军,杨继凯,刘春阳,王连锴,母一宁,宋德, 来源:光学学报 年份:2018
采用分步傅里叶法,通过数值模拟研究了饱和非线性介质中艾里孤子的产生与传输调控。单艾里光束入射时,在一定的初始振幅范围内可以产生稳定传输的呼吸式孤子。初始振幅增加时,孤子的强度增加,呼吸周期变短,但宽度基本保持不变。衰减系数增加时,孤子的平均峰值强......
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