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[期刊论文] 作者：胡思福,,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1980
本文简要地叙述减压CVD技术的基本理论,着重介绍该技术应用于半导体器件加工掺硼、磷和砷氧化物源,二氧化硅薄膜,四氯化硅—氨—氮系统淀积氮化硅薄膜以及热分解硅烷淀积多晶...
[期刊论文] 作者：何放,胡思福,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5...
[期刊论文] 作者：胡思福,Green,M,
来源：电子科技大学学报 年份：1991
提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%...
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,
来源：微电子学 年份：2000
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术－具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用ＭＥＤＩＣＩ模拟分析表明，该技术可交双极器件的击穿电压ＢＶＣＢ０提高到平行平面结的９０％以上；可减小......
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
研究了深陆终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质，阱深，阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响，结果表明，带有场板的深井终端结构可以提高击穿电压到平行平面结构９０％，同时，深阱终......
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件......
[期刊论文] 作者：胡思福,格林M,
来源：电子科技大学学报 年份：1991
提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.A...
[期刊论文] 作者：张玉才,胡思福,
来源：半导体学报 年份：1999
本文提出了一种能有效提高了ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构－深阱ＲＦ功率双极晶体管，并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素，深阱阱壁的宽度与深度，阱壁填充......
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,等,
来源：半导体学报 年份：2003
给出了双极RF功率管新的深陆结终端结构。模拟分析表明，具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95％以上。实验结果表明，深陆结终......
[期刊论文] 作者：姜念云,胡思福,
来源：光电工程 年份：1997
通过对接近式光刻中光通过掩模版后的近场衍射特性的计算机模拟分析和曝光实验，提出了一种新型的接近式衍射缩小曝光方法，适用于紫外和Ｘ射线的接近式曝光。利用此方法，采用间隙在......
[期刊论文] 作者：刘德雄, 杨华, 胡思福,,
来源：四川理工学院学报(自然科学版) 年份：2011
太阳能路灯安全节能无污染、工作自动化、节省电费、维护简便,相对普通路灯而言有较高的性价比。无需复杂昂贵的管线铺设,可任意调整灯具的布局,适用于中等大小的环境。综合...
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,张庆中,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同......
[期刊论文] 作者：周蓉,张庆中,胡思福,
来源：半导体学报 年份：2001
给出一种新的RF功率器件结构－梳状基区结构，在不增加本征集电路面积的情况下，该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性，增大器件的耗散功率和输出功率，较好的缓解了传统的结构中高工......
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,张庆中,
来源：微电子学 年份：2000
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平...
[期刊论文] 作者：刘德雄,唐金龙,温才,胡思福,,
来源：功能材料 年份：2011
采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、...
[期刊论文] 作者：周蓉,胡思福,李肇基,张庆中,
来源：半导体学报 年份：2003
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,...
[期刊论文] 作者：刘德雄，唐金龙，温才，胡思福，LIUDe-xiong，TANGJin-long，WENCai，HUSi-fu,
来源：城市道桥与防洪 年份：2011
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：周蓉,岳素格,秦卉芊,张玉才,胡思福,
来源：半导体学报 年份：1998
目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝......
[期刊论文] 作者：惠恒荣,胡思福,曾军,徐玉辉,赵兴华,黎展荣,,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1987
本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏...
[期刊论文] 作者：温才,李晓红,贺小庆,段晓峰,邱荣,刘德雄,唐金龙,胡思福,,
来源：强激光与粒子束 年份：2015
在SF6气氛下,分别利用钛宝石飞秒脉冲激光与掺钕钇铝石榴石纳秒脉冲激光对单晶硅表面进行了微构造和重掺杂,以用于光伏材料。对制备的单晶硅表面微结构的形貌、结晶性和硫元...
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