搜索筛选:
搜索耗时1.1809秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 22 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：葛瑞萍,,
来源： 年份：2015
我国目前社会发展的重要目标和任务就是和谐社会的构建，为了能够早日实现这一目标，我国逐渐形成了多元化的纠纷解决机制。多元化纠纷解决机制的形成为和谐社会的构建奠定了坚实......
[学位论文] 作者：葛瑞萍,
来源：南京大学 年份：2009
在Si上外延生长Ge和高Ge组分的Si1-xGex合金具有广泛的应用。采用Ge组分渐变的Si1-xGex合金作为缓冲层可以减少因Ge、Si间存在较大的晶格失配而引起的失配位错，提高外延Ge薄膜...
[期刊论文] 作者：葛瑞萍,王奇,,
来源：中国中医药科技 年份：2016
目的：制备一种荧光量子点标记的紫杉醇药物脂质体。方法：以生物相容性良好的低分子聚合物、量子点制备紫杉醇荧光脂质体,采用均匀设计优化处方工艺,并用透射电镜、扫描电镜、荧......
[报纸论文] 作者：葛瑞萍, 王中强,,
来源： 年份：
误工费是指赔偿义务人应当向赔偿权利人支付的受害人从遭受伤害到完全治愈这一期间内，因无法从事正常工作而实际减少的收入。因受害人的收入能力和水平差异较大，其损失的误工收......
[期刊论文] 作者：王荣华,韩平,曹亮,梅琴,吴军,葛瑞萍,谢自力,陈鹏,陆海,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明...
[期刊论文] 作者：王荣华，韩平，曹亮，梅琴，吴军，葛瑞萍，谢自力，陈鹏，陆海，,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：葛瑞萍,韩平,吴军,俞斐,赵红,谢自力,张荣,郑有炓,
来源：半导体技术 年份：2008
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重...
[期刊论文] 作者：葛瑞萍,韩平,吴军,俞斐,赵红,谢自力,张荣,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重...
[会议论文] 作者：葛瑞萍,韩平,吴军,俞斐,赵红,谢自力,张荣,郑有炓,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C合金层......
[期刊论文] 作者：梅琴,韩平,王荣华,吴军,夏冬梅,葛瑞萍,赵红,谢自力,修向,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了...
[期刊论文] 作者：吴军,王荣华,韩平,葛瑞萍,梅琴,俞斐,赵红,谢自力,张荣,,
来源：中国激光 年份：2004
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特...
[期刊论文] 作者：梅琴，韩平，王荣华，吴军，夏冬梅，葛瑞萍，赵红，谢自力，修向,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：吴军,王荣华,韩平,葛瑞萍,梅琴,俞斐,赵红,谢自力,张荣,,
来源：中国激光 年份：2009
利用化学气相淀积（CVD）的方法在AlN／Si（111）复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长，用X射线衍射（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极荧光（CL）等方法对所得样品的结构特征、表面形......
[期刊论文] 作者：俞斐,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,徐现,
来源：半导体技术 年份：2008
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)...
[期刊论文] 作者：葛瑞萍,韩平,吴军,王荣华,俞斐,赵红,俞慧强,谢自力,张荣,
来源：中国激光 年份：2004
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样...
[期刊论文] 作者：吴军,王荣华,韩平,葛瑞萍,梅琴,俞斐,赵红,谢自力,张荣,郑有炓,,
来源：中国激光 年份：2004
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特...
[期刊论文] 作者：梅琴,韩平,王荣华,吴军,夏冬梅,葛瑞萍,赵红,谢自力,修向前,张荣,郑有炓,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了...
[期刊论文] 作者：王荣华,韩平,曹亮,梅琴,吴军,葛瑞萍,谢自力,陈鹏,陆海,顾书林,张荣,郑有炓,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2008
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明...
[期刊论文] 作者：俞斐,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,修向前,徐现刚,张荣,郑有炓,
来源：中国激光 年份：2008
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上......
[期刊论文] 作者：俞斐,吴军,韩平,王荣华,葛瑞萍,赵红,俞慧强,谢自力,徐现刚,陈秀芳,张荣,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)...
相关搜索：
