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[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,
来源：半导体学报 年份：1996
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果。...
[期刊论文] 作者：阎春辉,郑海群,
来源：半导体学报 年份：1994
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配质结材料开展了较为深入的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明Ｓｂ结合到ＧａＡｓＳｂ中的速率比Ａｓ高得多，实......
[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,
来源：半导体学报 年份：1994
我们用国产第一台化学束外延系统，采用气态源分子束外延技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａＩｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料，对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ）。阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射等测量分析......
[期刊论文] 作者：孙殿照,阎春辉,
来源：半导体情报 年份：1991
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280...
[期刊论文] 作者：阎春辉,黄运衡,
来源：高技术通讯 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：阎春辉,刘明登,全宝富,朱袁正,张旭光,王阳元,
来源：半导体学报 年份：1991
本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了...
[期刊论文] 作者：阎春辉,刘明登,全宝富,朱袁正,张旭光,王阳元,
来源：半导体学报 年份：1991
本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了...
[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,曾一平,孙殿照,阎春辉,郑海群,
来源：电化学 年份：1995
用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能。得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系。空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而......
[期刊论文] 作者：郑海群,孙殿照,阎春辉,梁基本,曾一平,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。This article describes the development of AlGaAs / GaAs series o...
[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,曾一平,阎春辉,郑海群,孙殿照,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1997
研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。......
[期刊论文] 作者：范缇文,阎春辉,郑海群,孔梅影,田连地,周玉清,,
来源：电子显微学报 年份：1990
GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。...
[期刊论文] 作者：袁瑞霞, 阎春辉, 国红熙, 李晓兵, 朱世荣, 曾一平, 李灵,
来源：半导体学报 年份：1996
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[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵,
来源：半导体学报 年份：1995
在国产第一台ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品......
[期刊论文] 作者：张晓秋,朱战萍,孙殿照,孔梅影,曾一平,郑海群,阎春辉,
来源：真空科学与技术 年份：1990
在分子束外延（MBE）设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射（RHEED）强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和AlxGa1-xAs材料时观察了RHEED强度振荡...
[期刊论文] 作者：孙殿照,阎春辉,国红熙,朱世荣,黄运衡,曾一平,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2...
[期刊论文] 作者：孙殿照，王晓亮，李晓兵，国红熙，阎春辉，李建平，朱世荣，李灵霄，,
来源：半导体学报 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,李学萍,阎春辉,曾一平,孙殿照,郑海群,国红熙,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全...
[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1996
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．......
[期刊论文] 作者：阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1994
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多......
[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵霄,曾一平,孔梅影,侯洵,
来源：半导体学报 年份：1995
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品......
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