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[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2002
对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致和光致发光激发光谱的对比研究，结果表明，当氧化温度达到1150℃时，多孔硅中的纳米硅粒完全消失，此时的光致发光激发谱与发射蓝光的氧......
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2000
利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅,对该系列样品于400℃氧化处理1,2,4,8min和24min.通过研究其光致发光谱、红外吸收谱和瞬态谱,证明氧化多孔硅的光致发光来...
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2002
采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜.在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱, 其发光峰位均位于580nm.通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合,确定出了...
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2000
在〈１００〉和〈１１１〉硅衬底上，用超临界干燥方法制备了超高多孔度的多孔硅（多孔度大于９０％），并对其光致发光和光致发光激发以及结构进行了研究。发现光致发光峰位随多孔度增加而蓝移的数值远......
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：兰州大学学报：自然科学版 年份：2001
采用磁控溅射技术制备了Si/SiO2超晶格薄膜，在正向偏压大于4V即可观测到了来自Au/(Si/SiO2超晶格）／p-Si结构在室温下的要中见电致发光，认为发光射主要来自于SiO2层中的发光中心上...
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2003
采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜.对各种样品测量了光致发光谱, 其发光峰位位于655～665nm.通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学...
[期刊论文] 作者：马书懿,
来源：兰州大学学报 年份：2001
采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于...
[学位论文] 作者：马书懿,
来源：北京大学 年份：1997
该论文系统地研究了多孔硅、含纳米硅的氧化硅薄膜,和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光.主要结果有:1.超临界干燥方法处理的多孔硅:在〈100〉和〈111〉硅衬底上,用超临界干燥...
[期刊论文] 作者：魏晋军,马书懿,,
来源：工业催化 年份：2017
通过调节前驱液组分,使用电纺丝法和焙烧工艺,制备Y掺杂ZnO纳米颗粒,采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光光谱、N2吸附-脱附和XPS等进行表征。结果表明,Y掺杂ZnO材料具...
[期刊论文] 作者：陈彦,马书懿,,
来源：西北师范大学学报(自然科学版) 年份：2006
用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p—Si（100）衬底上制备了Ge／SiO2薄膜，利用Au／Ge／SiO2／p—Si结构的I—V特性曲线研究了该结构的电流输运机制．分析表明，在较低的正向偏压和反向偏压......
[期刊论文] 作者：陈光华,马书懿,
来源：兰州大学学报：自然科学版 年份：1993
本文首次报道了用溅射反应法制备的ａ－ＧｅＣＮｘ：Ｈ薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性，并观测到因掺碳引起的新的Ｎ－ＣＨｎ的红外吸收峰。...
[期刊论文] 作者：魏晋军,马书懿,
来源：功能材料 年份：2010
采用磁控溅射法制备了SiC/ZnO/Si镶嵌结构复合薄膜,对样品采用了不同的温度进行退火处理,测定了样品的光致发光图谱。结果显示,复合薄膜的光致发光强度较单体薄膜有一定的增...
[期刊论文] 作者：张开彪,马书懿,
来源：电子元件与材料 年份：2005
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析.结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nor...
[期刊论文] 作者：陈彦,马书懿,,
来源：功能材料 年份：2007
用射频磁控溅射法制备了锗／氧化硅纳米多层膜，在室温下测量了Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗／氧化硅纳米多层膜的发光中心，并用量子限制-发......
[期刊论文] 作者：魏晋军,马书懿,,
来源：太阳能 年份：2016
提出了大型垂直单轴槽式太阳能聚光器的设计思路，通过对设计结构的受力分析，以及结构设计的详细介绍，表明该设计能够有效改善系统的受力状态，提高工质的出口工作温度，降低集热管的......
[期刊论文] 作者：魏晋军,马书懿,
来源：能源与节能 年份：2017
风力发电是面向未来的清洁能源，具有广阔的发展前景，但也存在制约发展的较多问题。提出了基于功率全储能模式的综合优化设计方案，通过简化塔上机组结构增加系统可靠性，增加储能装......
[期刊论文] 作者：魏晋军,马书懿,,
来源：中国科技信息 年份：2011
为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）测...
[会议论文] 作者：马书懿,马书懿,王印月,刘雪芹,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰位均位于660nm处，测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主 要来自于SiO层中的发......
[期刊论文] 作者：张汉谋,马书懿,,
来源：西北师范大学学报(自然科学版) 年份：2006
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制......
[期刊论文] 作者：陈全海,马书懿,,
来源：西北师范大学学报(自然科学版) 年份：2006
采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜，测量了其辐照前后的光致发光谱．用Gauss函数对各发光谱进行了拟合，结果表明各光谱都是三峰结构．γ辐照后，除原有的2个位于800nm（1．55eV）和710nm（1......
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