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[会议论文] 作者：王保柱,刘宏新,李晋闽,王晓亮,王晓燕,王新华,郭伦春,肖红领,王翠梅,冉军学,王军喜,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提......
[会议论文] 作者：张小宾,李晋闽,王占国,侯洵,王晓亮,肖红领,杨翠柏,冉军学,王翠梅,胡国新,李建平,刘宏新,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输......
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为 10 35 cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 1.0× 10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为 2 6 5 3cm2 /(V· s) ,二维电子气浓度为 9.6× 10 1 2...
[期刊论文] 作者：孙殿照，王晓亮，王军喜，刘宏新，刘成海，曾一平，李晋闽，侯洵，林兰英，SUNDian-zhao，WANGXiao-liang，WANGJun-xi，LIUHong-xin，LIUCheng-hai，ZENGYi-ping,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：罗木昌,孙殿照,曾一平,林兰英,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,孙国胜,胡国新,张小平,潘华勇,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(...
[会议论文] 作者：罗木昌,孙殿照,曾一平,林兰英,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,孙国胜,张小平,潘华勇,胡国新,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的......
[期刊论文] 作者：王晓燕，王晓亮，胡国新，王保柱，李建平，肖红领，王军喜，刘宏新，曾一平，李晋闽，WangXiaoyan，WangXiaoliang，HuGuoxin，WangBaozhu，LiJianping，XiaoHongling,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王保柱，王晓亮，王晓燕，王新华，郭伦春，肖红领，王翠梅，冉军学，王军喜，刘宏新，李晋闽，WangBaozhu，WangXiaoliang，WangXiaoyan，WangXinhua，GuoLunchun,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：冯春,肖红领,王翠梅,李建平,刘宏新,姜丽娟,陈竑,殷海波,Chun Feng,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Jianping Li,Hongxin Liu,Lijuan Jiang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计...
[会议论文] 作者：冯春,Chun Feng,Xiaoliang Wang,王晓亮,Hongling Xiao,肖红领,Cuimei Wang,王翠梅,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,Lijuan,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同SiC衬底厚度与外延片弯曲度之间的......
[会议论文] 作者：井亮,肖红领,王翠梅,冯春,姜丽娟,陈竑,殷海波,李建平,刘宏新,Liang Jing,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Chun Feng,Lijuan Jiang,Hong Chen,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：Cuimei Wang,王翠梅,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Hong Chen,陈竑,Haibo Yin,殷海波,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇摆曲线结果显示，图形衬底上GaN (102)面半峰...
[会议论文] 作者：Hongling Xiao,肖红领,Chun Feng,冯春,Lijuan Jiang,姜丽娟,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,Hongxin Liu,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
In组分为17％的InAlN/GaN HEMT晶格匹配，自发极化较强，非常适于高频毫米波功率器件的制备，是近几年的国际研究热点之一。本文对InAlN/AlN/GaN HEMT结构进行理论分析，在材料生长、测试分析、器件研制等方面开展了一系列研究工作。......
[会议论文] 作者：康贺,肖红领,王翠梅,姜丽娟,冯春,殷海波,陈竑,林德峰,李建平,刘宏新,He Kang,Hongling Xiao,Cuimei Wang,Lijuan Jiang,Chun Feng,Haibo Yin,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100...
[会议论文] 作者：姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Liang Jing,井亮,Zhidong Li,李志东,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转...
[会议论文] 作者：王翠梅,Cuimei Wang,康贺,He Kang,Lijuan Jiang,姜丽娟,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050......
[会议论文] 作者：Cuimei Wang,姜丽娟,Lijuan Jiang,Chun Feng,冯春,Haibo Yin,殷海波,Hong Chen,陈竑,Defeng Lin,林德峰,Jianping Li,李建平,刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2；外加正向偏压2V时器件的......
[会议论文] 作者：[1]HeKang[2]LijuanJiang[2]姜丽娟[1]ChunFeng[2]冯春[1]HaiboYin[2]殷海波[1]HongChen[2]陈竑[1]JianpingLi[2]李建平[1]刘宏新,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和...
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