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[期刊论文] 作者：韩丽锦,马雪,张源涛,董鑫,吴国光,张宝林,
来源：发光学报 年份：2020
为优化反应过程对合成钙钛矿量子点及其薄膜质量的影响,本文采用相较于碳酸铯溶解性更好的醋酸铯为原料合成前驱体,并对不同条件下合成的量子点及制备的薄膜进行一系列特性表...
[期刊论文] 作者：曹越,于佳琪,张立东,邓高强,张源涛,张宝林,
来源：发光学报 年份：2020
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上进行了BGaN薄膜的外延生长,研究了生长厚度、温度、压力和B/Ⅲ比等条件对BGaN薄膜中B组分的影响。X射线衍射测试结果...
[期刊论文] 作者：郭建勇,周绍骑,李国磊,张源涛,黎武,
来源：兵器装备工程学报 年份：2018
分析了军用车材虚拟仓库职能、体系结构并构建运行平台。根据军用车材供应保障计划性、随机性和突发性并存的特点,设计了网络拓扑结构,创造性提出“常态—一体化”的虚拟仓库...
[会议论文] 作者：黄振,邓高强,李宝珠,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影...
[会议论文] 作者：闫龙;许恒;李玲;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
在GaN基光电子器件的研究中,N极性器件因具有更高的空穴注入效率、有利于制备高质量高In组分的InGaN/GaN量子阱等独特优势而受到广泛关注.但相比于Ga极性GaN薄膜,异质外延N极...
[期刊论文] 作者：董鑫,赵旺,张源涛,张宝林,李香萍,杜国同,,
来源：半导体学报 年份：2008
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在GaAs衬底上制备出了MgZnO/ZnO的p-n异质结,并研究了其I-V特性：开启电压约为3.6V,结特性良好.比较了n型ZnO层与p型MgxZn1-xO层的电阻率、迁...
[期刊论文] 作者：李世毅,马振利,骆诗定,刘云飞,张源涛,
来源：军事交通学院学报 年份：2011
介绍了越野群车加油车加油系统（以下简称加油系统）可靠性分析所需故障数据的收集与处理,提出了建立加油系统可靠性模型的主要步骤,介绍了经典可靠性模型,提出了加油系统仿真的......
[期刊论文] 作者：董鑫,刘大力,闫小龙,张源涛,杜国同,高忠民,
来源：发光学报 年份：2005
用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(0001)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜,通过在生长温度下氧气和氮气中退火处理的比较,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的...
[会议论文] 作者：董鑫;张源涛;张宝林;赵旺;李香萍;杜国同;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了ZnOp-n同质结。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约为4.0V。结特性良好。对同质结中n型与p型ZnO层...
[会议论文] 作者：蒋俊岩;迟宸;闫龙;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga...
[会议论文] 作者：王连锴,刘仁俊,吕游,李国兴,张源涛,张宝林,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子......
[期刊论文] 作者：李宝珠,黄振,邓高强,董鑫,张源涛,张宝林,杜国同,,
来源：发光学报 年份：2017
采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的（0001）面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮（AlxGa1-xN：x=0.8,0.5,0.2）缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量...
[期刊论文] 作者：刘大力,李公羽,杜国同,张景林,张源涛,李万成,
来源：第四届全国光学学术会议 年份：2002
以DMZn、HSe和HS为源,用Ap--MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS/ZnSe超晶格量子阱,并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构,在带蚀孔的衬底的ZnS/ZnSe超晶格量子阱上,首次观测到皮秒量级的光光调制现象.......
[期刊论文] 作者：张源涛,朱慧超,崔勇国,张宝林,杨树人,杜国同,
来源：半导体学报 年份：2005
采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性...
[期刊论文] 作者：刘杨,宋俊峰,曾毓萍,吴宾,张源涛,杜国同,,
来源：中国激光 年份：2004
在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上,增加了脊形波导结构,制得了新型的1.5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源.发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制...
[会议论文] 作者：张源涛,朱慧超,崔勇国,刘大力,杨树人,杜国同,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分......
[期刊论文] 作者：崔勇国,张源涛,朱慧超,张宝林,李万程,杜国同,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和Zn...
[期刊论文] 作者：杨树人,杜国同,殷宗友,张源涛,杨小天,李万程,
来源：光子学报 年份：2002
将用MOCVD法生长的GaN基外延片做成1mm×1mm的大芯片，对其进行特殊的封装。封装成的LED在工作电流为350mA，可视角高达125°时，轴向亮度能达到21万cd/m^2，输出积分功率能...
[期刊论文] 作者：陈腾浩,马振利,韩建荣,崔子庆,夏昌黎,张源涛,,
来源：后勤工程学院学报 年份：2012
加油系统是群车加油装备的主要系统之一，其不同工况的水力计算结果是研究和分析加油系统规律和特性的基础。介绍了新型群车加油车加油系统基本结构，针对其结构简单、工况随机多......
[会议论文] 作者：李万程,李正庭,张源涛,杨小天,王涛,杜国同,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文采用RF磁控溅射法在Si衬底上制备了ZnO薄膜,用n型Si(001)做衬底,制备前用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗.用比例为c(HSO):c(HPO)=3:1的混合溶液加热到160...
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