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[期刊论文] 作者：陈佰军,黄劲松,候晶莹,刘式墉,
来源：半导体光电 年份：1997
报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／Ａｌｑ３／ＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电极中注入，并在ＰＢＤ及ＰＶＫ中传输注入到Ａｌｑ３发光层中。器件......
[期刊论文] 作者：孙洪波,胡礼中,李玉东,刘式墉,
来源：科学通报 年份：1996
半导体超短光脉冲在长波长时分复用光纤通讯,超快数据处理,电光采样系统具有广泛应.常用的半导体短光脉冲产生方式有:增益开关技术、Q开关技术、锁模技术等.无论从理论上还是...
[期刊论文] 作者：马于光,刘式墉,朱江,沈家骢,
来源：中国激光 年份：1993
用溶液沉积的方法制备了染料分散红掺杂的聚苯乙烯膜,并用电场取向的方法对膜中的染料极性分子进行了取向。对取向膜进行的电光测试结果表明取向膜的电光系数r33≈35 pm/V较无机晶体要大。......
[期刊论文] 作者：彭宇恒,王玮,陈维友,刘式墉,
来源：电子学报 年份：1997
本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数．考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和计算方法．对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光......
[期刊论文] 作者：司玉娟,冯凯,郎六琪,刘式墉,
来源：发光学报 年份：2005
介绍一种有源有机发光显示屏(AM OLED)的驱动电路的设计方法。像素驱动电路采用常用的两管电路结构,依据此像素驱动电路,提出一种利用多晶硅TFT将部分外围驱动电路集成于衬底...
[期刊论文] 作者：司玉娟, 陈新发, 杨晓萍, 刘式墉,,
来源：发光学报 年份：2003
在采用精确的模型基础上,利用AIM-Spice软件对有源OLED poly-Si薄膜晶体管(TFT)驱动电路和1×4矩阵电路进行分析研究。最后得到合理的电路参数,使OLED能够达到一定的显示亮度...
[期刊论文] 作者：李传南,肖步文,侯晶莹,刘式墉,
来源：光子学报 年份：2001
本文报道了利用LiF/Al作为负电极的有机电致发光器件，器件结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al,LiF层的加入增强了电子注入，当其厚度为0.4nm时，器件的性能最好，与单层Al和Mg/Al电极的同类...
[期刊论文] 作者：马春生,王菲,崔占臣,刘式墉,
来源：光子学报 年份：2002
本文对聚合物阵列波导光栅(AWG)波分复用器中波导的弯曲损耗进行了理论分析。为了使AWG器件中单模传输时波导的弯曲损耗尽量地减小，结合计算实例对波导的弯曲半径、弯曲角度和...
[期刊论文] 作者：杨惠山,陈淑芬,赵毅,侯晶莹,刘式墉,,
来源：光子学报 年份：2006
利用阱结构作为发光层，阱由8-羟基喹啉铝和4，4′-N，N′-dicarbazole-biphenyl变替蒸发长成，改善了器件的效率，这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积，形成的激子有效地被限制在薄......
[期刊论文] 作者：刘宝林,杨树人,陈佰军,刘式墉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
首先从理论上研究了在应变情况下量阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阱宽为１．８ｎｍ。......
[期刊论文] 作者：刘式墉,杨开霞,黄劲松,高文宝,
来源：发光学报 年份：2002
制备了普通的有机量子阱结构,并对结构进行了表征.在此基础上,制备了量子阱结构的白光电致发光器件.在分析了制作工艺对有机量子阱结构特性可能产生的影响之后,为了减少垒、...
[期刊论文] 作者：王静,姜文龙,赵毅,侯晶莹,刘式墉,
来源：发光学报 年份：2005
介绍了具有高色纯度的多层有机白光器件,器件发光的色坐标为x=0.33,y=0.34,非常接近白光等能点,是色度很好的白光器件.而且在8～14 V很大的范围内,发光色度随器件的驱动电压或...
[会议论文] 作者：张丹丹,冯晶,王海,刘式墉,孙洪波,
来源：第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议 年份：2009
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[会议论文] 作者：杨惠山,陈淑芬,赵毅,侯晶莹,刘式墉,
来源：第五届全国光子学大会 年份：2004
利 用 阱 结 构 作 为 发 光 层 , 阱 由 8- 羟 基 喹 啉 铝 (Alq) 和 4,4 ′ -N,N ′–dicarbazole-biphenyl (CBP)交替蒸发长成，改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在...
[期刊论文] 作者：马於光,唐建国,沈家骢,刘式墉,
来源：高等学校化学学报 年份：1994
８－羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光马於光，唐建国，沈家骢，刘式墉（吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室，集成光电子学国家联合重点实验室，长春，１３００２３）关键词聚合物，光致......
[期刊论文] 作者：明忠臣,王学忠,崔成烈,刘式墉,,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1965
本文在分析实验结果的基础上,给出了一个掺杂程度与峰值电压间的经验关系.文中有关再结晶层浓度的数据是通过温差电动势率的测量而得到的.Based on the analysis of the ex...
[期刊论文] 作者：刘明大,李淑文,马春生,刘式墉,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1987
本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。This paper reports the experimental results of waveguide interconnection between...
[期刊论文] 作者：陈松岩,李玉东,刘式墉,张玉贤,
来源：高技术通讯 年份：1995
报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形......
[期刊论文] 作者：马于光,刘式墉,杨柏,沈家骢,,
来源：科学通报 年份：1993
由于集成光学器件主要是由LiN_BO_3和Ⅲ—Ⅴ族晶体材料制备的,在这些电光晶体上形成良好性质的波导是很困难的。虽然利用半导体工艺中的扩散和喷涂方法,可以在某些基材上形...
[期刊论文] 作者：胡礼中,李雪春,刘艳红,刘式墉,
来源：大连理工大学学报 年份：1998
报道一种隐埋条形半导体激光器伴生高阻层电阻率的估算方法，解决了该电阻率不能用常规手段直接测量的问题；在给定的实验条件下，算得电阻率约为４１２Ω·ｃｍ；这种方法也适于其他类似情况下......
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