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[期刊论文] 作者：万新恒,
来源：畅销书摘 年份：2000
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[学位论文] 作者：万新恒,
来源：北京大学 年份：2001
针对MOS结构器件抗辐照应用所面临的瓶颈问题,该文主要围绕体硅及SOIMOS器件的总剂量辐照效应开展了实验及理论两方面的研究工作.首先,从实验角度较为系统地研究了体硅MOS器...
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
发展了一种研究ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的新方法。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，发展了一种局域态电荷密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：自动化与仪表 年份：1997
容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ.........
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种简明的氢化非晶硅局域态电荷密度统一模型。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，推导出局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾......
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型。利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟，模型计算结果与实验吻合较好，初步分析了高剂量条件下不同散射......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,等,
来源：半导体学报 年份：2001
首次报道了辐照所引起的SOI／MOS 器件PD（部分耗尽）与FD（全耗尽）过渡区的漂移。基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移。讨论了辐照引起F......
[期刊论文] 作者：万新恒,龚建明,
来源：自动化与仪表 年份：1997
８０Ｃ５１系列单片机波特率自动检测的通用程序ＡｎＡｕｔｏｍａｔｉｃＢａｕｄＲａｔｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｆｏｒｔｈｅ８０Ｃ５１ＳｉｎｇｌｅＣｈｉｐＣｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒龚建明ＷａｎＸｉｎｈｅｎｇＧｏｎｇＪｉａｎｍｉｎｇ１引言在串行异步通.........
[期刊论文] 作者：万新恒,吴玉鹏,,
来源：中国经济信息 年份：2000
本刊讯当前,信息化浪潮席卷全球,校园信息化已是大势所趋,“信息化校园”建设将逐渐成为社会,特别是教育界和科技界普遍关注的焦点。《信息化校园:大学的革命》一书旨在对“...
[期刊论文] 作者：万新恒,甘学温,等,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一个含总剂量的辐照效应的SOI MOSFET统一模型，该模型能自动计入体耗尽条件，不需要分类考虑不同膜厚的情况，模型计算结果与实验吻合较好，该模型物理意义明确，参数提取方便，......
[会议论文] 作者：黄爱华,万新恒,张兴,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,邹雪城,OulachgarHassan,
来源：光电子技术 年份：1996
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析......
[期刊论文] 作者：李强,徐重阳,万新恒,张科峰,
来源：电子技术 年份：1997
基于ＰＯＣＳＡＧ码的信令格式，研制了一种基于ＡＴ８９Ｃ２０５１单片机的接收解码装置，对其硬件组成和软件设计要点进行了详细阐述。最后，还对该成果的使用价值及开发前景进行了简要叙述。Based on the sig......
[会议论文] 作者：高文钰,万新恒,张兴,刘忠立,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对多晶硅后高温退火对热SiO可靠性的退化作用进行了实验研究,并采用NO氮化抑制了多晶硅后高温退化效应....
[期刊论文] 作者：丁晖,徐重阳,曾祥斌,戴拥兵,万新恒,
来源：微电子学 年份：1997
讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工......
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不...
[期刊论文] 作者：万新恒,徐重阳,朱兴方,赵伯芳,丁晖,
来源：自动化与仪表 年份：1997
容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ.........
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,高文钰,黄如,王阳元,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2002
推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与...
[期刊论文] 作者：万新恒,张兴,黄如,甘学温,王阳元,
来源：半导体学报 年份：2001
首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 ....
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