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[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：科学之友：上旬 年份：2000
从您一降生,您就从历法得到一个生日。从此,您就和历法结下不解之缘。您一生的每一个脚步,都在历法上留下一个脚印。您应当好好关心关心历法,让它更好地为人类服务。中...
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：大众机械 年份：1990
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[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：湖南有色金属 年份：1991
本文研究了CODCr测定时氟离子的干扰及消除方法,克服汞造成的二次污染,以及废银的回收方法。...
[学位论文] 作者：曾一平,
来源：华南理工大学 年份：2001
中化广东进出口公司是一间具有50多年历史的国有企业,在其向市场化转型的变革实践中,人力资源的改善始终是企业改革自新的重要工作.值得欣慰的是经过痛苦的选择和两年多的努...
[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：湖南有色金属 年份：1991
本文研究了COD_(Cr)测定时氟离子的干扰及消除方法,克服汞造成的二次污染,以及废银的回收方法。In this paper, the interference and elimination of fluoride ions in CO...
[期刊论文] 作者：宋珂,曾一平,
来源：光电子．激光 年份：1997
采用分子束外延技术生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱得多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下......
[期刊论文] 作者：曹昕,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2000
用ＭＢＥ方法制备的ＰＨＥＭＴ微结构材料，其２ＤＥＧ浓度随材料结构的不同在２．０－４．０×１０＾１２ｃｍ＾－２之间，室温霍耳迁移率在５０００－６５００ｃｍ＾２·Ｖ＾－１·ｓ＾－１之间，制备在ＰＨＥＭＴ器件，栅长为０．７μｍ的器件的直流特性：Ｉｄｓｓ～２８０ｍＡ／ｍｍ，Ｉｍａｘ～５２０－５８０ｍＡ／ｍｍ，ｇｍ～３２０－４００ｍＳ／ＭＭ，ＢＶＤＳ〉１５Ｖ（ＩＤＳ＝１ｍＡ／ｍｍ），ＢＶＧＳ〉１０Ｖ，微波特......
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
通过包括所有可能的高阶衍射波，本文计算了最子进红外探测器一维光栅的光谱响应，发现一维光栅有很宽的光谱范围，可以同时覆盖３￣５μｍ和８￣１４μｍ两个波段，这将有益于红外焦平面列阵和双色探测......
[期刊论文] 作者：邓小强,曾一平,
来源：安徽医科大学学报 年份：1995
硬膜外腔注入不同剂量吗啡术后镇痛效果分析邓小强，曾一平硬膜外腔注入吗啡术后镇痛，不仅能减轻术后病人的痛苦，还可帮助病人尽早活动，减少术后并发症，安全度过围术期。但其主要副......
[期刊论文] 作者：方光光,曾一平,
来源：同济医科大学学报 年份：1995
苄基四氢巴马丁是一种源于植物的四氢巴马丁的衍生物。在离体大鼠膀胱平滑肌上ＢＴＨＰ能使ＫＣｌ量效曲线和电刺激所致膀胱收缩的频率－效应曲线左移，最大效应增加，而钾通道开放剂吡那地尔（Ｐｉｎａｃｉｄｉｌ，Ｐｉｎ）则使......
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在本文，我们用一个低组分的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层（ｘ￣０．０１），有效地限制了５０周期的Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ应变超晶格本身弛豫所产生的位错，Ｘ射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超昌格质量明显改善，可以观察到１２级卫星峰，而在没......
[期刊论文] 作者：宋珂,曾一平,
来源：科技通报 年份：1997
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低......
[期刊论文] 作者：王红梅,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1998
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高，不等位电压温漂小等优点，可用于电流传感器，无刷电机等磁敏传感器，具有广阔的应用前景。...
[期刊论文] 作者：于磊,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了ＧａＡｓ基ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子点（ＱＤ）的ＭＢＥ生长条件，发现在一定的Ⅴ／Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ ＱＤ形成及形状的一对重要因素，其中衬底温度直接影响着Ｉｎ的偏析程度，决定了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的生长模式；生长速率影响着ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ外延......
[期刊论文] 作者：曾一平,干岭,
来源：安徽医科大学学报 年份：1998
目的 观察硬膜外吗啡镇痛对经胸食道癌根治术病术术后心肌缺血的影响。方法 ２２例手术病人随机分成镇痛组（ｎ＝１２）和对照组（ｎ＝１０），镇痛组在手术结束之前硬膜外注入吗啡０．０４ｍｇ·ｋｇ＾－１，二组均应用Ｈｏｌｔｅｒ连续监......
[期刊论文] 作者：曾一平,邓小强,
来源：安徽医科大学学报 年份：1998
观察艾司洛尔控制围麻醉期心律失常和高血压的疗效。方法 １５例择期手术病人，ＡＳＡ分级Ⅰ－Ⅱ级，围麻醉期经处理，１０－２０ｍｉｎ后心室率仍≥１２０次，首次静注艾司洛尔１ｍｇ．ｋｇ＾－１，记录用药量，用药后１，３，５，７，１０ｍｉｎ收缩压，舒张压和心率，如６ｍｉｎ未......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,
来源：传感器技术 年份：1998
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了薄膜Ｈａｌｌ器件。这种Ｈａｌｌ器件具有灵敏度高，温度特性好等优点，室温下的体积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ．ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ．ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌｌ器件高５０％），在......
[期刊论文] 作者：曾一平,张野,
来源：安徽医学 年份：1998
心率变异被认为是反映心脏植物神经活性的指标,近年来受到普遍关注.本文对20例开胸食道癌根治术患者术后镇痛期进行心率变异(HRV)观察分析,探讨其临床意义.临床资料一、...
[会议论文] 作者：王红梅,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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