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[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
采用MBE生长了非均匀结构InGaAs/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率的红外探测器的设想....
[期刊论文] 作者：邓小强,李元海,方能新,曾一平,
来源：安徽医科大学学报 年份：2003
目的探讨全麻复合硬膜外阻滞对胃癌根治术中血糖及皮质醇浓度的影响.方法 20例择期胃癌手术患者随机分成全麻复合硬膜外阻滞组(Ⅰ)和单纯全麻组(Ⅱ),分别于麻醉前(T1)、诱导...
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2003
在不同生长条件下，生长低组分InGaAs／GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量．通过对生长条件的优化，得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件，这对于自组织量子点在器件方面......
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2003
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2003
用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的 Fvd M生长模式也不...
[期刊论文] 作者：段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2003
在不同生长条件下 ,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量 .通过对生长条件的优化 ,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件 ,这对于自组织量子点...
[期刊论文] 作者：方能新,张健,曾一平,钱梅,颜莉,徐慧琴,汪思应,
来源：中国药理学通报 年份：2003
目的比较米力农对心肺转流下行心脏瓣膜置换术患者围手术期血浆C-反应蛋白(CRP)及细胞因子TNF-α、IL-8、 IL-10水平的影响.方法随机、双盲将择期心瓣膜置换术手术患者16例分...
[期刊论文] 作者：孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,李建平,曾一平,林兰英,
来源：发光学报 年份：2003
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结...
[期刊论文] 作者：孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,张永兴,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2003
在MBE／CVD高真空系统上，利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50mm的单晶Si(100)村底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料，利用反射高能电子衍射(RHE...
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,朱世荣,李晋闽,曾一平,林兰英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料,...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋,
来源：半导体学报 年份：2003
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN／GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料,所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2．2×...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二...
[期刊论文] 作者：孙国胜,罗木昌,王雷,赵万顺,孙艳玲,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：发光学报 年份：2003
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,在3C-SiC中会产生很大的内应力,直接影响3C-S...
[期刊论文] 作者：孙国胜,罗木昌,王雷,赵万顺,孙艳玲,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：发光学报 年份：2003
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2003
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[期刊论文] 作者：孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,张永兴,曾一平,李晋闽,林兰英,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2003
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,张永兴,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2003
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 ( 3 C- Si C)外延材料 ,利...
[期刊论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2003
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电子气材料 .所获得的掺 Si的 Ga N膜室温电子...
[期刊论文] 作者：王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6...
,Photon-Storage in Optical Memory Cells Based on a Semiconductor Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Str
[期刊论文] 作者：卞松保),TANG Yan(唐艳),LI Gui-Rong(李桂荣),LI Yue-Xia(李月霞),YANG Fu-Hua(杨富华),ZHENG Hou-Zhi(郑厚植),ZENG Yi-Ping(曾一平,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
We report a new type of photonic memory cell based on a semiconductor quantum dot (QD)-quantum well (QW)hybrid structure, in which photo-generated excitons can...
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