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[期刊论文] 作者：蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了ＰｔＴｉ阻挡层与ＡｕＴｉ／ＡｕＧｅ：Ｎｉ／ＧａＡｓ系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明，系统在２５０℃以下热处理是稳定的，它具有良好的欧姆接触特性；在更高的温度下，发现阻挡......
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,等,
来源：半导体学报 年份：2002
采用GaAs 75mm0.7μm离子注入场效应晶体管（MESFET）标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷（DPDT）单片射频开关（以下简称单片开关。成品率分析表明，影响单片开关直流及射频参数成品......
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报道了Ｋ波段的ＰＨＥＭＴ ＭＭＩＣ的设计与研制。ＰＨＥＭＴ器件采用０．５μｍ栅长的３ｉｎｃｈ ＧａＡｓ标准工艺制作。三级的ＭＭＩＣ放大器在１８ＧＨｚ处，线性增益１７ｄＢ，输出功率Ｐ－１＝１９ｄＢｍ。Y......
[期刊论文] 作者：蒋幼泉,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨｚ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５－－７．５ｄＢ ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运......
[期刊论文] 作者：陈继义,蒋幼泉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
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[会议论文] 作者：钱峰,蒋幼泉,叶育红,徐波,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择....
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,黄念宁,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
采用南京电子器件研究所的φ76 mm GaAs的PHEMT单片技术,进行了16.5～20 GHz的PHEMT MMIC的设计与研制.其中PHEMT器件选用双平面掺杂A1GaAs/InGaAs/GaAs PHEMT异质结结构,0.5μ...
[期刊论文] 作者：彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
单片低噪声放大器由于体积小、重量轻、可靠性高,已广泛地用于卫星通信和电子系统.放大器的噪声和功率增益是接收机灵敏度的决定因素,因此在设计放大器时,首先要考虑这两个指...
[期刊论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子...
[期刊论文] 作者：吴振海,郝西萍,蒋幼泉,陈新宇,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试 ,对参数进行统计分析 ,能判断成品率是否正常 ,并帮助找出影响成品率的原因。本文介绍了行之有效的测试统计和...
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,黄念宁,陈效建,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。Reported the desi...
[会议论文] 作者：吴振海,郝西萍,蒋幼泉,陈新宇,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原因。该文介绍了行之有效的测试统计和分析技......
[会议论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理...
[期刊论文] 作者：顾炯,陈克金,蒋幼泉,李祖华,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，......
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2002
采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于...
[期刊论文] 作者：李拂晓,孙玉芳,陈克金,蒋幼泉,陈堂胜,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。GaAsX / Ku band mono......
[会议论文] 作者：蒋幼泉,李拂晓,黄念宁,陈继义,邵凯,杨乃彬,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I)≤0.4dB,回波损耗(R)≥19.5dB,反向三阶交调(P)≥67dBm,隔离度(Iso>)≥15.5dB,控...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;徐中仓;钮利荣;邵凯;杨乃彬;,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
采用砷化镓离子注入技术研制出的DPDT(双刀双掷)单片射频开关,采用塑封技术,成功地通过了高温工作寿命,抗静电(ESD),高压蒸汽(PCT),温度循环,射频功率下的漏电等试验.寿命试...
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