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[会议论文] 作者：段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶...
[会议论文] 作者：崔军朋,段垚,王晓峰,曾一平,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜.采用X射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DXRD)研究了所生长ZnO薄膜的结构特征.利用扫描电子显...
[会议论文] 作者：王晓峰;段垚;崔军朋;曾一平;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)...
[会议论文] 作者：曹国华,秦大山,曹俊松,曾一平,李晋闽,
来源：2006中国平板显示学术会议 年份：2006
基于一种有机受主材料(PTCDA)设计了两种极化空穴注入结构,用于有机发光二极管中实现有效的空穴注入.在第一种极化空穴注入结构ITO/PTCDA/Ag/CuPc中,PTCDA和CuPc层之间的Ag可...
[会议论文] 作者：林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微...
[会议论文] 作者：曹国华,秦大山,曹俊松,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用镁掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层、银做为阴极制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCDA:Mg/Ag对Alq3的电子注入能力略有提高,但是由于银在可见光范围内的反射能力高于Mg......
[会议论文] 作者：曹峻松,秦大山,曹国华,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其...
[会议论文] 作者：马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,王良臣,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大...
[会议论文] 作者：高宏玲;王宝强;朱战平;李成基;段瑞飞;曾一平;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1....
[会议论文] 作者：刘喆,王晓亮,王军喜,胡国新,李建平,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.......
[会议论文] 作者：朱蓉辉,曾一平,卜俊鹏,惠峰,郑红军,赵冀,高永亮,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视场中发现的物体成分和尺寸等......
[会议论文] 作者：魏同波,马平,段瑞飞,王军喜,刘喆,王晓亮,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
采用HVPE技术在MOCVD生长的GaN模版上外延了高质量的GaN厚膜,通过XRD和SEM发现,随着GaN膜增厚,外延层的晶体质量变好,260μm厚膜的摇摆曲线的半高宽仅有141arcsec,腐蚀坑密度...
[会议论文] 作者：李家业,赵永梅,刘兴昉,孙国胜,王雷,赵万顺,罗木昌,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上进行了SiC的快速外延生长.对得到的SiC外延膜用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)进行了分析.探讨了生长...
[会议论文] 作者：王晓燕,王晓亮,胡国新,王保柱,李建平,肖红领,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为100To......
[会议论文] 作者：刘兴昉,曾一平,孙国胜,李晋闽,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,罗木昌,李家业,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透......
[会议论文] 作者：方测宝,李晋闽,王晓亮,肖红领,王翠梅,冉军学,李成基,罗卫军,杨翠柏,曾一平,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。......
[会议论文] 作者：王新华,马志勇,胡国新,曾一平,李晋闽,王晓亮,肖红领,王翠梅,冉军学,罗卫军,王保柱,冯春,杨翠柏,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti.Al/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω.Cm-2,器件的电流-电压(I-......
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