使用硼铝二氧化硅乳胶源研制出反向快恢复整流二极管，其反向恢复时间ｔｒｒ≤５μｓ，反向耐压＞１０００Ｖ。介绍了该器件的结构特点及扩散工艺。 The use ......

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二氧化硅乳胶是一种新型的液态扩散源。为满足需要,本所除研制并生产掺杂单个元素的乳胶源外,还研制出几种掺杂双元素的二氧化硅......

由于砷的固溶度较高,可获得较高的表面浓度,其扩散系数小适应于V-MOS的源区扩散,为栅氧化的温度选择创造了一个有利的条件.以往由......

概述 在硅半导体工业中,使用完美单晶——无位错(N_D≤500/厘米~3)低含氧量(n_o≤10~(16)原子/厘米~2)无析出杂质,已成为公认的定......

遵照毛主席“七·二一”光辉指示,我们实践小组与天津半导体器件厂工人相结合,在厂各级党组织领导下,在工人师傅和技术人员的具体......

本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......

本文对70—400埃的SiO_2层的制备和性质进行了探讨,着重研究了与厚SiO_2层的差别。用AES、C—V、椭圆偏光法等对SiO_2—Si系统进行......

近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体......

本文介绍了一种能控制二氧化硅图形剖面坡度的刻蚀新技术。涂胶前,在热生长二氧化硅上涂敷一层二氧化硅乳胶源,乳胶源的烘干温度决......

针对低成本、易操作和安全无污染的半导体掺杂要求提出了一种选择区扩散掺杂方法。利用电子束曝光光刻开窗,采用改进的二氧化硅乳......