干氧氧化相关论文
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成......
通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧......
对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷......
本文报导了用四氯化碳作为氯源的掺氯氧化方法。测量了 CCl_4氧化物的性质,并与干氧氧化物进行比较。实验结果表明,其氧化速率和腐......
本文主要研究在O_2/N_2混合气氛下,三氯乙烯(TCE)热氧化的动力学向题。研究中,采用最小二乘法,将五种函数(包括三种线性回归方程、......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
研究干氧和湿氧(95℃H_2O)氧化膜厚度在0.10～1.0μ,温度在920℃～1200℃的范围内重掺杂硅氧化特性,研究硅掺硼(1×10~(16)～2.5×10~(20......
在半导体器件中,由于硅表面SiO2薄膜中钠的沾污,严重地影响着器件的稳定性、可靠性及成品率.对于MOS器件,这一影响就更为突出,因此......
本文研究了用稳态的C_0~(60)对采用热解和干法栅氧化制作的多晶硅栅MOS电容器进行辐照时,栅氧化温度对电容器的辐照诱生平带和阈值......
64K动态存贮器用的基本工艺技术 。 光刻技术{凳娄袭蕞剂 ;篓茬竺耋磊等倍投影曝光 腐蚀技术 {湿法腐蚀一同时采用等离子千法腐蚀 ......
一、引言 众所周知,热氧化SiO_2中的Na~+是造成Si平面器件尤其是MOS器件性能不稳定的主要原因。如果在干氧氧化时,在氧化气氛中掺......
在干氧和微量HCl混合气氛中生长靶的氧化层,能明显降低硅靶视像管的暗电流在标准的1时硅靶视像管中,已经获得了小于0。6nA的暗电......
为满足传真、工业测量、文字识别以及遥感等方面的要求与急需,设计并研制成功128,256,512,1024,2048位线阵电荷耦合图象传感器系列......
对晶体完整性、Si-SiO_2界面、线性集成电路的有源寄生等问题进行了讨论。介绍了基于应力补偿等机理的完整晶体器件工艺(PCT)。指......
Pd-MOS PET是一种氢气检测器件.它具有高灵敏度、高选择性、快响应速度和较好的稳定性.1975年瑞典I.Lundstr(o|¨)m等人研制出第......
已知在用热氧化制作金属氧化物半导体大规模集成电路(MOS LSI)的栅氧化膜时,如果在气氛中加入少量氯化氢(HCI),则可减少可动离子......
本文叙述了滴水氧化加三氯乙烯处理方法及测量结果。所制备的厚为4000埃的氧化层中氧化层净电荷密度接近或低于1×10~(10)个/cm~2,......
本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2......
本文叙述硅器件制造过程中,硅晶体中二次缺陷形成、生长和缩小的条件。实验指出:(1)用细致的化学腐蚀方法可有效地减少表面型氧化......
本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,......
局部氧化工艺后热生长栅氧化膜上缺陷的密度强烈地依赖于局部氧化工艺的各种条件,尤其是场氧化的条件。为了减少或消除栅氧化膜上......
本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能......
一、前言复盖在半导体表面的氧化层是器件和集成电路的一个组成部分,器件和集成电路的质量优劣,很大程度上取决于SiO_2—Si界面的......
本文对70—400埃的SiO_2层的制备和性质进行了探讨,着重研究了与厚SiO_2层的差别。用AES、C—V、椭圆偏光法等对SiO_2—Si系统进行......
CCD(电荷耦合器件)于贝尔实验室问世的时候,当时认为它的一个优点就是制造工艺简单。因为CCD在原理上不需要进行源、漏扩散,只需......
以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(1......
本文对P型(100)无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=kt~n......
本文对金球C—V技术用文献中所介绍的(d~2V_(FB))/(dx~2)测量Sio_2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中指出(1)当Sio......
本文介绍在引进的CMOS生产线上,利用等温两步氯化氢氧化技术,研究工业化大生产中薄栅介质膜的电流-电压特性及其击穿特性,结果表明......
把MOS器件的工作原理和一些材料的电化学性能相结合,可制成一种化学敏感场效应晶体管.这是一种很有广泛用途的敏感器件,其栅二氧化......
本文介绍一种能提高基区硼杂质浓度R_(?)b均匀性的新方法.①传统工艺方法(下称方法①):基区硼扩散分两步,先进行硼予扩,在硅抛光片......
本文用TP-83型椭圆仪给出了硅器件工艺的若干重要数据:如硅片清洗后不同烘干方法的自然氧化层厚度;二氧化硅及其掺磷时的浓度与工......
本文研究了Schafer和Lyon最近提出的关于硅的快速始初氧化模型的基本假设。发现其中一些基本假设与已有的实验结果相矛盾。进而,本......
用射频产生的氧等离子体实现了硅的无电极等离子体氧化。研究了氧化膜生长速率对衬底温度、氧气压、衬底离等离子区的距离以及射频......
本文介绍一种在氮、氧混合气氛下对硅器件的高温氧化扩散工艺。它用于NPN或PNP晶体管以及双极型集成电路的制造,对减少热氧化诱生......
激光辐照技术是近年来广泛用于半导体工艺中的一种行之有效的技术,已在离子注入的退火、形成硅化物和欧姆接触等方面取得了令人满......
本文提出的用 O_2/N_2进行中间氧化(退火)的两步热氮化工艺,能将 SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化......
为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看......
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放......
