Bicmos工艺相关论文
给出了一个采用 1.2μm BiCMOS工艺设计的检测RS-232电平是否有效的电路。电路由施密特触发器、或非门单元以及经过改进的能够实现......
采用Jazz 0.35um SiGe BiCMOS工艺设计2路并行LDD,其工作频率为3.318Gb/s,采用电容交叉耦合技术拓展带宽,可同时驱动2路激光器.采......
设计了一款用于点对点高速串行通信的发送器芯片,传输速率400Mbps,内嵌锁相环倍频电路产生高速时钟,集成8B/10B编码电路。基于2P2M......
Harris半导体公司(位于美国佛罗里达州的Melbourne)宣称它的一项针对2.4GHz工作条件优化了的BiCMOS工艺,可以使无线网的应用线路(......
神经网络的发展,关键在于硬件技术的实现.基于市场上可见到的神经芯片集成的神经元数目和可调数目太小,集成度较低,如何利用新工艺......
用ＢｉＣＭＯＳ工艺制作的高频高分辨率４级Σ△Ａ／Ｄ转换器＝Ａｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙａｎｄｈｉｇｈ－ｒｅｓ－ｏｌｕｔｉｏｎｆｏｕｒｔｈ－ｏｒｄｅｒΣ△Ａ／ＤｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｎｂｉＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［刊，英］／Ｙｉｎ，ＧＭ…∥ＩＥＥＥ...
High-frequency high-resolution 4-stage ΣΔ A / D converter made by......
一种新的高压SJ-LDMOS器件被提出.该器件利用非常规超结形成表面低电阻通道,同时提高器件耐压,同时,该器件还兼容BiCMOS工艺.......
研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构，而通过内部电平控制实现对信号的锁存。......
以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要......
提出了一种用于气体频谱分析传感器的混频器优先的 245 GHz次谐波接收机.该接收机具有高线性度、高带宽、低噪声系数、低功耗和高......
采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32～38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能.该移相器电路包括......
该文主要对用于光纤通信系统的2.5Gb/s 32:1 MUX 电路的进行研究.以ECL电路形式设计了能工作于2.5Gb/s(STM16/OC48)传输速率的32路......
多晶硅发射极的使用不仅增大了双极晶体管的直流增益,而且为双层多晶硅自对准(DPSA)结构的实现提供了可能,DPSA结构能减小Bipolar......
随着信息时代的来临，电源管理技术变得越来越重要。在诸多的电源管理技术中，LDO因为其小面积、高电源抑制比、微功耗、低噪声以及简......
单片式开关电源管理集成电路是国际最新技术进展，它具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标、能构成高效率电源等优点......
该论文研究的课题是我们小组863项目中的一部分,针对最近国际上发展起来的新的电源管理电路,自行设计了一种采用PSM,即跳周期工作......
在几乎所有应用于电子设备的电源中,线性电压变换器是其基本的电路组成单元.集成线性电压变换器以其使用简单、价格低廉而成为电子......
该文主要研究电流型PWM控制器芯片的设计问题,目前国内的开关电源控制器正从电压型控制过渡到电流型控制,电流型控制技术可以在逐......
本文采用了无生产线(fabless)的方式设计了两种宽带放大器集成电路： 1)采用AMS 0.8μBiCMOS工艺实现了40～980MHz宽带放大器电路。......
SiGe HBT自上世纪80年代后期被研制成功后，由于其优异的高频性能和与传统Si工艺兼容的优点，已被广泛应用于射频和微波集成电路中。其......
随着电子技术的发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多,而电源是电子设备的重要组成部分,其性能的好坏直接......
带隙基准电压源作为集成电路中一个重要的电路模块，其性能直接影响了整个系统的性能。随着集成电路的不断发展，带隙基准电压源电路的......
随着无线通信技术的不断发展，无线应用如手机、无线局域网等已广泛应用于日常生活，因此无线领域低成本、低功耗和高性能的芯片研究和......
个人通信系统和数字卫星电视广播的迅猛发展，对重量轻、体积小、功耗低、成本小的收发器的需求迅速增加，零中频接收器结构重新得到密......
红外遥控接收芯片广泛地应用在日常生活的各个方面,例如电视机,空调,DVD等家用电器以及车载电子产品上。广泛的市场应用决定了巨大......
随着模数转换器(ADC)的发展，数据转换接口的设计越来越复杂。影响接口设计的主要因素包括:ADC速度和精度的不断提高、电压和功耗的......
近年来，随着电信网的迅猛发展，多媒体通信的广泛应用，信息高速公路的大规模建设，对高速通信系统的需求越来越高，开发具有自主知识产权、......
Maxim推出完全集成的PMIC MAX17113,极大地减小了LCD TV的方案尺寸和成本。该器件集成升压调节器、降压调节器、可调节的正、负电......
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺.该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及......
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路.一种是220G......
给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器.在标准的3.3V电源电压,功耗为133.77mW.在31dB的输入动态范围......
介绍了基于0.35μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,......
Maxim推出带有复位输出的超低静态电流、高压线性稳压器MAX16910。这款200mA线性稳压器仅消耗20μA（典型值）静态电流，延长了不间断的......
PolarFab公司开始提供一种SiCr薄膜电阻，它的寄生效应小，具有500Ω表面电阻，可减小芯片尺寸。这种电阻以该公司的RFBC和ABC30．8μc-BiC......
IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧......
Maxim推出3通道、RGB激光驱动器MAX3600，能够将高分辨率的微型投影仪集成至小体积设备中。该器件采用Maxim最新的BiCMOS工艺，具有小......
Motorola公司(位于阿里桑那州的Phoenix)的半导体事业部,最近完成了对其0.35 μ m RF BiCMOS工艺,包括硅锗:碳(SiGe:C)技术,以及一......
文章主要介绍了一个利用TSMC 0．25μm RF BiCMOS工艺实现的预置数分频器（Plmscaler）。其中，采用了特殊的D触发器和组合逻辑门结构，改进......
提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基......
设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器.在CSMC 0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPEC......
随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展，对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起，不断满......
基于BiCMOS工艺下研制一种单片式多功能集成电路汽车电子电压调节器。采用具有温度补偿特性的基准电压源代替稳压二极管来提供交流......
给出一种用于荧光灯电子镇流器的智能化电源管理集成电路的设计.其独特的电路结构设计使该电路芯片可在低电源电压下工作,从而可利......
