Fe3O4薄膜相关论文
在自旋电子学器件的研究过程中,自旋的注入、传输、操控和检测是核心问题,其中高效的自旋注入是实现自旋电子器件的基础.Fe3O4具有......
用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe3O4薄膜.电阻-温度关系表明Fe3O4薄膜的Verwey转变(TV)约在122K,低温......
自旋电子学将电子的自旋特性引入电输运过程,拓展了传统微电子学的研究领域。基于自旋的电子器件引起了广泛的关注,并成为最具前景......
近二十年来，为了将磁电子学应用到现在已经非常成熟的半导体产业 中，很多人逐渐把注意力集中到半导体磁电子学上来。这门新兴学科......
利用直流反应磁控溅射法制备了厚度约100 nm成分单一的Fe3O4薄膜。对薄膜样品进行XRD测试,研究了不同缓冲层对薄膜结构的影响。结......
利用脉冲激光沉积法,在3种不同取向的NSTO基片上,生长得到3种不同取向的Fe3O4外延薄膜。制备了Fe3O4（100）/NSTO（100）、Fe3O4（110）/NSTO（11......
采用脉冲激光沉积方法，以烧结的Fe3O4为靶材，在STO（100）基底上制备了Fe3O4（100）薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整......
多晶材料的性能受到其晶粒群形貌及结构参数如晶粒取向分布函数的严重影响，这种影响在具有各向异性晶体结构的多晶薄膜以及多晶薄膜......
采用微弧氧化法以FeSO4溶液在钛金属表面制备超顺磁性薄膜．用IR、XRD和SEM等表征了磁性薄膜的组成和形貌，结果表明磁性薄膜主要由Fe3......
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料，由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得......
本文采用还原反应法，在Ar＋H２气体氛围中。射频磁控溅射制备Fe3O4薄膜．薄膜沉积在室温的[100]热氧化硅基体上，对薄膜样品进行X射线衍射（XR......
采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻......
在壳聚糖膜上通过原位氧化水解反应制备了网状结构的Fe3O4薄膜.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和热重-差热分析对产物进行了分析和......
以烧结α—Fe2O3为靶材，采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在Si（100）基片上制备了Fe3O4薄膜。XRD分析表明，所得薄膜为立方尖晶石结构的Fe3O4，而且......
Fe3O4由于其高达840 K的居里温度以及磁电阻效应而被广泛研究,Si基半导体是集成电路的基础。将二者相结合,构成Fe3O4-氧化物-半导......
