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随着半导体器件需求不断提高,薄膜制备工艺逐步成熟,科研工作者的研究方向也逐步由常规厚度HfO2薄膜的性能改善转变为10 nm以下的......
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为了建立厚度为1nm左右HfO2超薄膜的光谱椭偏测量方法,采用掠入射X射线反射技术进行国家/地区实验室间比对认证,其膜厚准确量值作为参......
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