In_2o_3相关论文
报道了在Ｉｎ２Ｏ３材料中分别掺杂一定比例的Ｐｄ，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＣａＯ和ＭｇＯ材料后敏感材料的气敏特性．实验结果表明，掺杂及烧结温度对Ｉｎ２Ｏ３材料的气敏特性有较大的影响．
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利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉......
用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;......
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶......
Structural and Physical Property Analysis of ZnO-SnO_2—In_2O_3—Ga_2O_3 Quaternary Transparent Conduc
The increasing demand in the diverse device applications of transparent conducting oxides(TCOs) requires synthesis of ne......
用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜......
用射频溅射法制备了金属／半导体Fex（In2O_3）(1-x)颗粒膜．用XRD，TEM辅以磁性测量研究了该系列颗粒膜的微结构实验结果表明，纳米尺度的Fe颗......
文中采用溶胶 -凝胶法合成了In2 O3纳米粉体 ,确定其晶体结构并掺入Co3O4 、Au等掺杂剂制成烧结式器件 ,该器件对CO气体具有较高的......
用简单有效的静电纺丝法制备了Ce掺杂的In2O3纳米纤维材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HR......
利用水热法,在没有表面活性剂和有机溶剂的情况下,在一定pH值下合成In(OH)3微米立方。通过在400℃煅烧In(OH)3前驱体,制备In2O3微......
研究了薄膜沉积方法,基于空心阴极金属溅射,在基材附近提供反应气体。工作气体和携带溅射原子通过一个狭长通道从阴极出来,这样,反......
2.4 ZnO掺杂透明导电氧化物沉积透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺......
用反应蒸发技术制作不掺杂ln_2O_3薄膜,薄膜厚度为1500～2000A、方块电阻为60～200Ω/□、透光率为80～94%(波长λ=600nm)。本文讨论了蒸......
采用化 学液相 共沉淀，以 铟、四氯 化锡为 原料，通过 选择沉 淀介质和 控制一定 的工艺 ，制备了球形的 Ｉ Ｔ Ｏ 粉料。用 Ｔ Ｅ Ｍ 、 Ｂ Ｅ Ｔ 等法......
以硝酸铟为起始原料 ,利用高分子网络法合成纯的单相In2 O3纳米晶 .采用X射线粉末衍射 (XRD)和透射电镜 (TEM )等检测手段对所得粉......
利用直流磁控溅射在未加热的BK-7玻璃基片上沉积In2O3与ZnO混合(IZO)薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、分光光度计和四探针法研究IZO薄......
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3（IMO,In2O3：Mo）薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温......
热处理对表面包覆纳米Ｉｎ＿２Ｏ＿３有机溶胶光谱性质的影响吴晓春，汤国庆，邹炳锁（南开大学现代光学所，天津３０００７１）１９８３年美国Ｈｕｇｈｅｓ研究所的Ｒ．Ｋ．Ｊａｉｎ和Ｒ．Ｃ．Ｌｉｎｄ在市售的半导体微晶掺杂......
利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率In2O3基W-Mo共掺(IMWO,In2O3:WO3/MoO3)薄膜,研究了不同等量WO3-MoO3掺杂浓度对薄膜的微观......
掺杂元素的Ｌｅｗｉｓ酸强度对掺杂Ｉｎ_２Ｏ_３电性质的影响文世杰Ｇ．Ｃａｍｐｅｔ（ＬａｗｒｅｎｃｅＢｅｒｋｅｌｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙ，ＢｅｒｋｅｌｅｙＣＡ９４７２０，ＵＳＡ）（ＬａｂｏｒａｔｏｉｒｅｄｅＣｈｅｍｉｅｄｕＳｏｌｉｄｅｄｕＣＮＲＳ，Ｕｎｉ...
Effect of Lewis Acid Strength of Doped Elements on the Electrical Propert......
1983年美国Hugles研究所的Jain和Lind在市售的半导体微晶掺杂的滤波玻璃中发现了半导体纳米材料大的三阶非线性效应和超快速的时间......
在低压氧气氛中蒸发纯铟以制取In_2O_3薄膜获得成功。在此法中,有效蒸发面积等于坩埚的实际窗口面积,並且通过适当控制蒸发条件,可......
采用水热法,以3mol/L KOH为矿化剂,填充度35%,温度430℃,通过添加适量比例的In_2O_3,合成了掺In的ZnO晶体.In离子掺杂不仅可以改善......
采用固相反应法将五水硝酸铟(In(NO3)3·5H2O)、硝酸银(AgNO3)混合作为前驱体,在室温下研磨反应得到混合物颗粒,在600℃的温度下煅......
在纯度为99.998%的超微细粉体In2O3中，掺入适当配比的PtO２，MgO，CaO 等金属氧化物构成气敏材料，用Pt丝作热敏材料，采用热线型元件制作工艺......
以金属硝酸盐作为氧化剂,有机物尿素为燃料的混合物经点火燃烧,制得疏松状的纳米粉末产品,并对产品进行形貌及粒度分析.......
以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法与超声技术相结合的手段制备颗粒均匀的纳米氧化铟.运用XRD和TEM等分析手段对合成产品的结构、形......
用超声分散浸渍法制备了掺杂SO4^2-的In2O3半导体气敏材料，并对其电导和气敏性能进行了研究．结果表明：SO4^2-的掺入改变了N型半导体In......
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采用In2O3超细粉体,掺杂Au和金属氧化物(SiO2,Fe2O3等),按照直热式气敏元件工艺制成珠状气敏元件,通过Al2O3-Pd的表面催化层处理,......
本文是一篇综述性报告，根据近年来的有关报道，结合作者的实验结果，对IO、ITO透明导电薄膜的研究情况和实验方法作了简要的评述，重点讨......
