研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ ......

该文用哈尔滨工业大学自制的大型等离子体基离子注入(PBⅡ)系统,以乙炔及乙炔/氢气混合气体为气源,采用等离子体基脉冲偏压沉积技......

A new Enhanced Glow Discharge Plasma Ion Implantation methods are introduced, in which the plasma are produced by the se......

利用PBII技术制备了TiN／DLC和TiN／Ag固体润滑膜，研究了膜层物成分结构及真空条件下的摩擦性能。结果表明：PBII有效地实现了表层润滑膜......

采用等离子体基离子注入技术在30CrMnSi钢上制备了TiNx/DLC多层膜，通过X射线光电子谱和激光喇曼光谱测试分析了膜的结构特征，TiNx/DL......

用电子束蒸发纯硼，在硅片上沉积不同厚度的硼膜，然后用等离子体基离子注入（ＰＢⅡ）技术在硼膜上主入氮以形成氮化硼（ＢＮ），用ＸＰＳ分析膜的成分深度分布......

钽氮化物和钽碳化物电影用磁控管氮和碳跟随的钽劈啪作响被制作基于血浆的离子培植(N-PBII 和 C-PBII ) 。这些电影的阶段进化和形......

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注氧隔离法（SIMOX）和体硅智能剥离法（Smart-cut）是目前制备绝缘体上的硅（SOI）材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要工艺过程......

注氧隔离法 (SIMOX)和体硅智能剥离法 (smart cut)是目前制备绝缘体上的硅 (SOI)材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要......