A new super-junction lateral double diffused MOSFET (LDMOST) structure is designed with n-type charge compensation layer......

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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低......

现代电力电子技术的发展要求功率器件具有更优越的高压、高速、低功耗性能,超结(Superjunction,简称SJ)器件作为一类新型功率器件......

高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）是高压集成电路HVIC（High Voltage Integrated Circuit）和功率集成电路PIC（Power Integrate......

因具有易集成、频率响应快等优点,功率LDMOS器件被广泛地应用在功率集成电路中。低功耗是功率器件发展的方向,而LDMOS器件的耐压(B......

高压功率集成电路是功率电子学的重要领域,它将高压功率器件与控制和保护电路单片集成,减少了系统中的元件数、互连数和焊点数,不......