SOILDMOS相关论文
绝缘体上硅横向双扩散功率MOSFET（SOI LDMOS）由于其易驱动,耐高压,高速,低的寄生效应等优点而被广泛地应用于功率集成电路中。如何在......
本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO界面的反型层空穴是提高器件耐压的......
提出一种图形化 SOI L DMOSFET结构 ,埋氧层在器件沟道下方是断开的 ,只存在于源区和漏区 .数值模拟结果表明 ,相对于无体连接的 S......
提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程......
为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(S SOI LDM......
为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffus......
在功率集成电路蓬勃发展的今天,横向功率器件作为其推广及应用的核心器件,一直是广大研究学者们的研究热点。其中SOI LDMOS器件因......
击穿电压和比导通电阻是SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field ......
简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射......
SOI横向功率器件是SOI功率集成电路(PowerIntegratedCircuit,PIC)和SOI单片功率系统(PowerSystemOnaChip,PSOC)的核心器件，高电压大......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-So Son等人提出的SOI基绝缘槽......
