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虽然基于SiC的图腾柱无桥功率因素校正（PFC）电路性能优，但仍存在固有的过零点电流尖峰的问题。为抑制过零点电流尖峰，在深入分析图腾柱......
针对碳化硼陶瓷难烧结、韧性低的缺点，通过引入稀土化合物、SiC、过渡金属硼化物、碳纳米管、石墨烯以及金属相等增强相能够充分发......
随着SiC MOSFET的发展，以该器件作为核心部分的多通道SiC固态功率控制器逐渐应用于高功率密度领域。由于其温升和极端环境温度更高，......
碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域......
本工作制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管（avalanche photodiodes, APDs）雪崩倍增的物理机制。与280 nm相比，在240 nm紫外光入射时，Si......
垃圾焚烧炉所用耐火材料如果不经特殊处理，垃圾燃烧的产物飞灰对其会产生侵蚀现象，影响垃圾焚烧炉的寿命。SiC因独有的物理、化学特......
碳化硅（SiC）晶片作为第三代半导体材料,具有高击穿电场强度、高饱和电子漂移速度、宽带隙、低介电常数、高热导率等特性,在航天探测......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件，介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果：SiC材料对重离子辐照不......
为获得满足高温合金单晶叶片熔模精密铸造用高性能陶瓷型芯，本论文采用超声振动和机械搅拌将短切碳纤维(Csf)均匀分散在SiO2基陶瓷......
为提升牵引系统效率、改善电机温升和噪声性能，文章从逆变器开关频率优化、调制策略选择、电机控制算法适配等多个维度开展高频SiC......
本文探讨了SiC颗粒增强铝基复合材料的制备工艺及弹性模量的影响因素，综述了SiC颗粒增强铝基复合材料的应用情况，展望了高模量铝合金......
在当下的实际应用中，特别是电动汽车领域，由于该领域的快速发展导致功率半导体器件需要更高的性能要求。自功率半导体诞生以来，技术人......
新型热电材料的研究一直是新能源材料领域研究的热点问题。近来的研究发现,在商业化应用较广泛的Bi2Te3热电材料晶格中引入第二相......
通过浆料浸渍法将六方氮化硼（h-BN）和碳化硅（SiC）粉末引入2.5D炭纤维针刺整体毡，并通过呋喃树脂浸渍-炭化增密制备了C/C-BN、C/C-SiC和C......
电动汽车对加速性和续航里程的要求不断提升，从而对电驱系统功率密度和效率的要求也在不断提升。针对这一需求，分析了SiC半导体材料......
SiC具备优异的物理特性，可显著提升微波射频、电力电子等器件的性能与能效，但高昂的衬底成本影响了SiC的广泛应用。除了长晶速度慢、......
针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时，沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题，本文采用真空直流磁控溅射技术，利用一种高含碳量的SiC......
SiC材料具有宽的禁带宽度、高的临界击穿电场强度、高的饱和电子漂移速度以及高的热导率等突出特点,使其与Si材料相比,在高温、高......
作为第三代半导体的突出代表,SiC因具有很多的优良特性而被广泛应用于高频、高压器件中。在SiC器件的制造过程中,获得稳定性好且接......
硅功率半导体器件近60年来经历了多代的发展,在阻断电压、工作温度、导通和开关特性等方面已接近理论上的限制。以碳化硅（Si C）和氮......
SiC具有优异的高温稳定性和抗辐照性能、低热中子俘获截面和良好的抗高温腐蚀性能等,是一种优异的反应堆用候选材料,可用作结构支......
学位
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
碳化硅（Si C）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以......
SiC陶瓷材料具有密度低、强度高、硬度大、耐高温、导热快等诸多优点,在航空航天等领域中具有十分广阔的应用前景。但是SiC陶瓷材......
Al-Zn-Mg-Cu合金以其高比强度、优良的导热性与耐腐蚀性常用于航空航天、汽车等领域，采用电弧增材制造并探索添加孕育剂的作用对于......
期刊
近几十年来,电信、雷达系统和无线传输的飞速发展给周围环境带来了严重的电磁波干扰污染。使用电磁波吸收材料是目前防范电磁波干......
航空航天、新能源等科技领域的迅猛发展,使得对应用于极端条件下（高温或酸碱腐蚀）的结构材料的需求日益增强。碳化硅（SiC）因具有高硬度......
超高温陶瓷（UHTCs）改性C/C复合材料（C/C-UHTCs）结合了UHTCs优异的化学稳定性以及C/C复合材料良好的力学性能,是广泛使用的高温结构材料......
高温易氧化烧蚀是限制C/C复合材料作为高温热结构材料使用的瓶颈问题,防氧化抗烧蚀涂层与基体掺杂陶瓷改性技术是目前解决该难题的......
This paper presents an all-SiC fiber-optic Fabry-Perot (FP) pressure sensor based on the hydrophilic direct bonding tech......
采用粉末冶金法制备了总质量分数为20％SiC与WS2的铜/聚酰亚胺树脂基复合材料,WS2和SiC质量比分别为1:3,3:5,1:1,5:3,3:1,研究了固体......
利用商洛市某县钼尾矿为主要原料烧制轻质保温发泡陶瓷墙体材料,为钼尾矿变废为宝、循环利用提供新途径.采用单因素分析法研究原料......
电源是指为电子设备提供能量的装置,一切电子设备的正常工作都离不开电源。而开关电源由于其体积小、功率密度大、稳定性好等优点,......
颗粒增强铁基复合材料具有高的强度、硬度和刚度,耐高温、抗冲击和耐磨性能较好,制备成本低,具有很高的应用价值。然而铁的高熔点......
电火花加工（EDM）工件表面最重要的特性之一是变质层和残余应力。为了研究碳化硅陶瓷材料电火花加工过程中产生的变质层和残余应力问......
本文以纯镁为基体材料,纳米级SiC粉末为增强体颗粒,使用放电等离子烧结法制备出了x%SiC/Mg基复合材料（x=1、3、5、10、15）。对制成的......
腐蚀和磨损为金属材料最常见的失效形式,造成了巨大的损失,因此提高金属材料的耐磨耐蚀性能具有重要意义。而耐磨耐蚀材料往往较为......
脆性材料以其特殊的电、物理和化学性能在微电子、光学等产业得到了广泛应用,由于其硬度高、脆性大,加工过程中极易产生裂纹,使加......
为了解决双极型SiC功率器件中由于P型SiC不完全电离所导致的p+n发射结注入效率低的问题,本研究提出将宽禁带P型CuAlO2与N型SiC形成......
纳米银焊膏凭借其优异的机械、热、电性能,以及简易的烧结工艺等特点,已成为功率半导体器件封装中极具前景的芯片互连材料。然而,......
以炭纤维无纬布/网胎针刺整体毡为增强体，先采用化学气相渗透法（Chemical vapor infiltration， CVI）沉积热解炭制备C/C多孔体，之后使用C......
由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何......
近年来,经济持续增长推动汽车行业的蓬勃发展。电动汽车由于能极大地缓解能源危机和环境恶化的问题得到了人们的广泛关注。车载DC/......
基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理,对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验,研究工艺参数对其抛光效果的影响.结果表明......
单晶SiC作为第三代半导体材料的代表,用于高性能电子器件的衬底基片,要求其表面原子级超光滑并且无亚表面损伤,但单晶SiC硬度高、......
